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2023年8月20日~22日，第七届全国大学生集成电路创新创业大赛全国总决赛在重庆举行，来自125所高校的469支队伍同台竞技。本届大赛于2023年1月启动，设有21个企业杯赛方向，共分为8大赛道，覆盖集成电路全产业链，报名队伍超过5000支，参赛师生逾15000人，参与高校超过380家。经过西南、华北、东北、华中、华东、华南、西北七大分赛区选拔，有来自125所高校的469支队伍晋级全国总决赛。在...
中国科学院微电子所在28nm RRAM存内计算电路领域取得进展（图）
计算电路 人工智能 计算性能 晶体管构成
2023/8/21
物联网与人工智能技术的迅猛发展对边缘节点计算平台的实时数据处理能力与能效提出了更高要求。基于新型存储器的非易失存内计算技术可实现数据的原位存储与计算、将数据搬运带来的功耗与延迟开销最小化，从而大幅提升边缘设备的数据处理能力与效能比。但由于基础单元特性的非理想因素，阵列中的寄生效应以及模数转换电路的硬件开销，非易失存内计算仍面临计算性能与能效方面的限制。
中国科学院金属研究所专利：一种力电热多场耦合下微电子产品可靠性测试方法
中国科学院金属研究所 专利 力电热 多场耦合 微电子
2023/8/17
中国科学院金属研究所专利：一种力电热多场耦合下微电子产品可靠性测试方法
中国科学院微电子所在氧化铪基铁电存储材料方面取得重要进展（图）
氧化铪基 铁电存储材料 晶体结构 微电子器件
2023/8/21
互联网、人工智能等信息技术的快速发展，对存储器的存储密度、访问速度以及操作次数都提出了更高的要求。氧化铪基铁电存储器具有低功耗、高速、高可靠性等优势，被认为是下一代非易失性存储器技术的潜在解决方案。现在普遍研究的正交相（orthorhombic phase，简称“o相”）HfO2基铁电材料由于自身高铁电翻转势垒和“独立翻转”的偶极子翻转模式，使基于该铁电材料的器件具有高矫顽场，进而导致器件工作电压...
近日，国家知识产权局发布了《关于第二十四届中国专利奖授奖的决定》，华南理工大学共获11项中国专利优秀奖，获奖数量排名全国高校第一；自2009年以来，华南理工大学以第一专利权人获奖总数达到50项（含2金5银），获奖总数排名全国高校首位。其中我院获1项中国专利优秀奖。本次获奖项目是学院与广州海格通信集团股份有限公司合作的专利成果，彰显专利成果转化对区域产业创新发展的贡献。
中国科学院微电子所在铁电存储器可靠性研究方面取得进展（图）
铁电存储器 电学测量
2023/8/21
基于HfO2的铁电存储器（FeRAM）由于其高速、良好的可微缩性和CMOS工艺兼容性备受关注。但FeRAM的特性对温度极其敏感，性能受温度影响很大。如何减轻温度对FRAM阵列性能的影响，使其能在高温下实现高可靠性操作需要更加深入研究。
中国科学院微电子所在新型存储器领域取得重要进展（图）
新型存储器 三维集成 人工智能 高非线性
2023/8/21
随着人工智能和物联网的兴起，数据呈现爆炸式增长。研发具有更快访问速度和更高存储密度的存储器成为必然。阻变存储器因具有简单两端结构易于三维集成、极好的可微缩性、速度快以及低功耗等优势受到广泛关注。
2023年7月17日，微电子所健康电子中心黄成军研究员、赵阳副研究员团队在单细胞电学特性流式分析方法及高通量实时分析仪器研究方面取得重要进展。单细胞电学特性生物传感与分析技术为单细胞生物物理学研究提供了一个新维度。该技术已被证明在全血分析、肿瘤细胞分型和免疫细胞状态评估方面具有重要的应用潜力。但现有的电学检测方法难以实现高通量实时性分析，严重限制了需要大量系统实验的单细胞电学特性研究的开展。
中国科学院微电子研究所专利：具有非对称后退阱和背栅的SOI器件
中国科学院微电子研究所 专利 非对称 后退阱 背栅 SOI器件
2023/7/11
中国科学院微电子研究所专利：具有非对称后退阱和背栅的SOI器件
中国科学院微电子研究所专利：太赫兹焦平面阵列及检测与成像装置
中国科学院微电子研究所 专利 太赫兹 焦平面阵列 检测成像装置
2023/7/11
中国科学院微电子研究所专利：太赫兹焦平面阵列及检测与成像装置
中国科学院微电子研究所专利：基于红外气体传感器的水果成熟度检测系统
中国科学院微电子研究所 专利 红外 气体传感器 水果成熟度 检测系统
2023/7/11
中国科学院微电子研究所专利：基于红外气体传感器的水果成熟度检测系统
中国科学院微电子研究所专利：一种FinFet器件源漏外延设备
中国科学院微电子研究所 专利 FinFet器件 源漏外延
2023/7/11
中国科学院微电子研究所专利：一种FinFet器件源漏外延设备