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中国科学院微电子所在多模态三维神经形态计算领域取得重要进展（图）
三维神经 形态计算 微电子
2024/2/28
微电子所重点实验室刘明院士团队设计了一种新的3D垂直RRAM阵列，其中不同层器件分别具有非易失性和易失性，这使得它能够构建多模态神经形态计算网络。第1层器件（字线：TiN）和第2层器件（字线：Ru）分别表现出不同的动态特性，可以用于构建多时间尺度储备池计算网络；第3层器（WL：W）表现出了多比特存储的非易失特性，可用于构建卷积神经网络和全连接网络等。第1层和第2层器件构建的多时间尺度储备池计算网络...
中国科学院国家纳米科学中心专利：一种采用微流控芯片构建三维神经网络的装置及其制备和使用方法
2019年4月19日，清华大学航天航空学院、柔性电子技术研究中心冯雪教授课题组在《科学进展》（Science Advances）在线发表了题为“用于外周神经电刺激与信号采集的形状记忆基仿攀爬缠绕电极”（Climbing-inspired twining electrodes using shape memory for peripheral nerve stimulation and record...
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所石墨烯三维神经支架研究取得进展（图）
石墨烯 三维神经支架 研究进展
2013/4/11
石墨烯为单层或少层碳原子组成的低维碳纳米材料，具有优异的理化性质，自2004年被发现以来，迅速成为材料科学与凝聚态物理等领域的研究前沿。同时，石墨烯展现出良好生物相容性，在生物医学领域的应用近年来备受关注，已被成功用于细胞成像、药物输运、干细胞工程及肿瘤治疗方面。
混成式三维神经元微探针阵列的制备
混成式 三维 神经元探针阵列
2014/4/22
本文提出了一种新的混成式神经元探针阵列结构，并采用新的制备流程制作了规模为10×10的神经元探针阵列。制备流程主要包括倒焊互联工艺和多刀片切割工艺，倒焊工艺将厚硅片直接倒焊到读出电路上，多刀片切割工艺直接将硅片切割成硅针阵列。该制备流程不包含高温工艺和硅腐蚀工艺，不损伤电路，实现了硅针阵列与电路直接集成，从而简化了接口，降低了引脚数量，芯片的硅针规模可以不受引线口数量限制。
三维神经微电极阵列新制作技术研究
微加工 电镀 微电极阵列 PDMS(Polydimethylsiloxane 聚二甲基硅氧烷
2014/5/14
尝试了一种低成本的三维微电极阵列微加工的新方法。玻璃划片形成的柱状阵列，经掩膜腐蚀后形成阳模板，再利用PDMS的微复制技术形成阴模板。利用阴模板进行电镀，可以得到三维微电极阵列。制作的铜电极阵列高度约180m，为制作更长的神经微电极阵列打下了基础。