搜索结果: 151-165 共查到“物理学 界面”相关记录174条 . 查询时间(0.149 秒)
低温下用MBE方法生长了Ge/Si超晶格,X射线反射及横向散射研究表明,Ge亚层上下表面的粗糙度呈反对称,下表面大的粗糙度来源于Ge向Si亚层中扩散形成SiGe混合组分结构,这种组分结构可以用一平均成分的SiGe合金层加以拟合,从而使得各亚层均有一个合理的粗糙度,旋转样品进行的X射线散射研究表明,这种SiGe的混合是各向同性的,这与透射电子显微镜的研究结构相一致.
应用X射线异常散射技术研究了[Ni70Co30(25A)/Cu(20A)]20多层膜的界面结构, 结果表明, 退火前后Cu/Ni70Co30和Ni70Co30/Cu界面的温度行为不同.对于制备态样品, 界面结构是非对称的, 在Cu/Ni70Co30界面, 存在一个8A厚的CuNi3过渡层和一个4A厚的NiCo层. 然而, Ni70Co30/Cu界面却不存在任何扩散. 285\textcelsius...
A1/GaAs界面微结构的慢正电子束研究
A1/GaAs界面微结构 慢正电子束
2009/5/21
基于正电子扩散方程,对于线形全吸收型等特殊的界面模型,求得了正电子湮没辐射多普勒展宽S参数与单能慢正电子入射能量E之间函数关系S(E)的解析表达式.测量不同膜厚、不同退火条件下A1/GaAs的S(E),用所得解析式拟合实验数据,发现A1/GaAs界面系统与线形全吸收型界面模型符合得很好.通过拟合,得出了界面S参数S1及其与膜厚和退火温度的关系,由此对界面微结构及其动力学特性作了讨论.
左手材料复合双棱镜内部界面的古斯-汉森位移
单轴各向异性 古斯-汉森位移 折射
2009/1/15
设计了一种左手材料复合双棱镜，由两块各向同性左手材料棱镜与夹在其间的、其界面与
光轴成一定的角度的单轴各向异性左手材料平板构成． 研究了发生在其内部界面上的古斯汉森
位移． 分析了发生折射的条件和古斯汉森位移的符号． 研究发现，反射波与透射波有相同的古
斯汉森位移，透射波的古斯汉森位移随着薄层厚度的增加而振荡，整体上呈增加趋势；在透射共
振点，透射波的古斯汉森位移达到极大值，且极...
金属铀与铝薄膜界面的俄歇电子能谱研究
铝薄膜界面 铀
2008/12/11
以磁控溅射沉积方法 ,采用循环氩离子轰击镀和未循环轰击镀工艺在金属铀上制备了铝薄膜。俄歇电子能谱分析结果表明 :循环氩离子轰击镀获得的铝薄膜和铀基体的界面扩散比未循环轰击镀的显著增强 ,且界面发生化学反应 ,生成了UAl3和Al2 O3相。
左手系材料界面上的非线性TE电磁波
左手系材料 负折射率 非线性效应 表面波
2008/1/2
针对电磁波在非线性左手系材料中的传播性质, 分别研究了左、右手系材料界面以及两左手系材料界面上非线性TE表面波的传播行为讨论了导波的频率特性、色散关系以及群速度随频率的变化规律分析表明，两种界面上的非线性TE表面波均存在频率通带和禁带，且带宽是传播功率的函数揭示了在一定条件下，左、右手系材料界面上既可以支持正向传播的非线性TE表面波，也可以支持反向传播的非线性TE表面波；两左手系材料界面上表...
利用格林函数方法量子化色散吸收介质中的电磁场，研究了等离子体/色散吸收介质系统光场的量子性质.理论和数值计算表明，系统的工作状态与所选光场频率密切相关，等离子体介质的阻尼性明显地影响自身区域电场量子起伏功率谱，并且对另一侧介质中电场量子起伏功率谱的变化有连带作用.
六角形散射子光子晶体的界面态
光子晶体 绝对带隙 界面态
2007/12/8
研究采用平面波展开加超元胞方法计算了正方格子六角形空气散射子二维光子晶体镜面对称异质结的界面态.经过研究发现,这种异质结界面态可以通过相对于界面横向拉开或者纵向错开而产生,并且调节到绝对带隙中成为传导模.界面态的个数和变化规律在很大程度上依赖于光子晶体异质结构的几何和物理参量.通过对比我们发现：与圆柱形散射子相比,在六角形散射子异质结中更易于产生传导模,但是比四方柱形散射子的情况要困难.
流-固界面波的激光激发与光偏转检测
2007/8/20
基于光偏转原理,研制了可用于流-固界面波探测的光纤传感装置.在此基础上,建立了以调Q Nd∶YAG激光为流-固界面波激发光源的实验系统.实验上探测了激光在空气-铝、水-铝和酒精-铝等界面上激发的界面波波形.根据实验波形,算得在这三种界面上的泄漏Rayleigh波和Scholte波的速度分别为2889 m/s和339 m/s、2916 m/s和1512 m/s、2872 m/s和1184 m/s,此...
键合界面阻抗对VCSEL的电、热学特性的影响
2007/8/20
采用一电阻层来表征键合界面处的阻抗.通过求泊松方程、电流密度方程、载流子扩散方程以及有源层结压降方程自洽解的方法，计算了VCSEL的电势分布，进而求解热传导方程，得到VCSEL的温度分布.详细分析了键合界面阻抗对晶片键合结构垂直腔面发射激光器内部的电势分布、温度分布以及有源层中的注入电流密度、载流子浓度、结压降和温度沿径向分布的影响.
综述了在导电界面反射电磁波的横向偏移研究现状. 对在导电界面反射电磁波的横向偏移时间和横向偏移规律进行了分析, 并介绍了横向偏移随入射角变化曲线的分布特点. 对电磁波测井还介绍了电磁波横向偏移效应的校正方法及电磁波横向偏移所产生误差的量级分析, 电磁波波长越长, 对测量结果的影响就越大. 针对考虑非均匀电磁波横向偏移效应的测量问题, 指出了在实际应用中尚需解决的实际问题, 并展望今后的研究发展趋势...
Ag/Ni和Cu/Ni界面的分子动力学模拟
2007/7/28
期刊信息
篇名
Ag/Ni和Cu/Ni界面的分子动力学模拟
语种
中文
撰写或编译
作者
罗旋
第一作者单位
刊物名称
物理学报
页面
1994.12，43卷12期
出版日期
1994年
月
日
文章标识(ISSN)
相关项目
金属/非金属界面的X射线衍射和力学行为
Ag/Ni界面的分子动力学模拟
2007/7/28
期刊信息
篇名
Ag/Ni界面的分子动力学模拟
语种
中文
撰写或编译
作者
李明
第一作者单位
刊物名称
Appl.Phys.
页面
1995,A61,431
出版日期
1995年
月
日
文章标识(ISSN)
相关项目
金属/非金属界面的X射线衍射和力学行为
高温高压金刚石单晶生长界面研究
2007/7/28
期刊信息
篇名
高温高压金刚石单晶生长界面研究
语种
中文
撰写或编译
作者
郝兆印,高春晓
第一作者单位
刊物名称
高压物理学报
页面
1997，11，169
出版日期
1997年
月
日
文章标识(ISSN)
相关项目
单晶金刚石薄膜/立方氮化硼半导体异质结的制备与研究