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中国科学院新疆理化技术研究所专利：快速鉴别辐射后碳化硅垂直双扩散型晶体管寄生电容超出预值的方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 快速鉴别 辐射后 碳化硅 垂直双扩散 晶体管寄生电容 超出预值
2023/12/19
本发明涉及一种快速鉴别辐射后碳化硅垂直双扩散型晶体管寄生电容超出预值的方法，该方法涉及装置是由静电试验平台、样品测试版、电容‑电压单元模块、源测量单元模块和计算机组成，利用计算机中的扫描软件，设定的频率和电压扫描，得到碳化硅垂直双扩散型晶体管准确的结构电容数据，将结构电容数据经过优化拟合为结构电容曲线，将所得结构电容曲线自动去除尖峰，得到更为平滑的曲线，再对结构电容曲线通过固定的算法运...
本发明涉及一种纳米工艺晶体管总剂量辐射效应在线测试方法，属于半导体器件抗辐射性能测试技术领域，包括辐照前转移特性曲线测试、辐照前阈值电压提取、辐照偏置条件确定、在线辐照测试、漏端电流与阈值电压关系的提取、在线测试数据处理的步骤。本发明仅进行一个偏置电压的电流测试即可获得器件阈值电压信息，进而实现纳米工艺晶体管的高采样率测试。解决了纳米工艺晶体管总剂量辐射效应测试存在的辐射损伤信息量少，不能获得参数...
中国科学院深圳先进技术研究院专利：声辐射力的产生系统及方法
中国科学院深圳先进技术研究院 专利 声辐射力 产生系统
2023/11/23
中国科学院深圳先进技术研究院专利：声辐射力的产生系统及方法
中国高能同步辐射光源成功升能加速，增强器束流能量达60亿电子伏特（图）
高能同步辐射光源 升能加速 增强器 束流能量
2023/12/18
中国科学院高能物理研究所(高能所)2023年11月17日发布消息说，中国国家重大科技基础设施高能同步辐射光源(HEPS)加速器建设当天又实现一项重要里程碑——HEPS增强器束流能量达到60亿电子伏特(6GeV)，电荷量达到5纳库(5nC)以上，成功实现电子束升能加速，达到设计要求。
中国科学院合肥物质科学研究院专利：ND3+离子敏化的抗辐射激光晶体ND,ER:GSGG及其制备方法
中国科学院合肥物质科学研究院 专利 ND3+离子敏化 抗辐射 激光晶体 ND,ER:GSGG
2023/11/16
中国科学院合肥物质科学研究院专利：ND3+离子敏化的抗辐射激光晶体ND,ER:GSGG及其制备方法
2023年10月27日，中国通信学会主办，天线与射频技术委员会、普及与教育工作委员会、中国移动通信集团设计院有限公司、中国移动通信集团吉林省公司、中国移动通信集团白山分公司承办，中国通信学会5G科普行（白山站）暨2023 5G电磁辐射科普进社区活动在吉林省白山市举行。
中国科学院合肥物质科学研究院专利：一种辐射光谱稳定的LED光源及其控制装置
中国科学院合肥物质科学研究院专利：同步辐射μ-SAXS技术原位测量熔融法晶体微观生长基元粒径的方法及微型晶体生长炉
中国科学院合肥物质科学研究院 专利 同步辐射 μ-XRD技术 原位测量 晶体生长 熔融法
2023/9/1
中国科学院合肥物质科学研究院专利：同步辐射μ-SAXS技术原位测量熔融法晶体微观生长基元粒径的方法及微型晶体生长炉
中国科学院合肥物质科学研究院专利：同步辐射μ-SAXS技术原位测量熔融法晶体微观生长基元粒径的微型晶体生长炉
中国科学院合肥物质科学研究院 专利 同步辐射 μ-XRD技术 原位测量 晶体生长
2023/9/1
中国科学院合肥物质科学研究院专利：同步辐射μ-SAXS技术原位测量熔融法晶体微观生长基元粒径的微型晶体生长炉
中国科学院合肥物质科学研究院专利：同步辐射μ-XRD技术原位测量熔融法晶体生长微观结构的方法和微型晶体生长炉
中国科学院合肥物质科学研究院 专利 同步辐射 μ-XRD技术 原位测量 晶体生长
2023/9/1
中国科学院合肥物质科学研究院专利：同步辐射μ-XRD技术原位测量熔融法晶体生长微观结构的方法和微型晶体生长炉