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国家重大科技基础设施“高海拔宇宙线观测站”（LHAASO，简称“拉索”）正式发布了迄今最亮伽马射线暴（编号GRB 221009A）的高能伽马辐射精确能谱，该结果挑战了传统的伽马暴余辉标准辐射模型，揭示出宇宙背景光在红外波段强度低于预期。同时，该能谱为检验爱因斯坦相对论的适用范围、探索暗物质候选粒子——轴子等新物理研究方面提供了重要信息。相关结果在《科学进展》（Science Advances）杂志...
2023年7月25日，中国科学院近代物理研究所生物物理室科研人员结合2023年来的研究基础，总结了重离子辐射诱变育种相关理论和技术研究成果，并沿育种实践全规程提出了提升重离子辐射诱变育种效率和质量的新策略。相关研究成果发表在生物技术类权威期刊《生物技术评论》（Critical Reviews in Biotechnology）期刊上。
热中子参考辐射装置参数的实验测量
热中子场 注量率 镉比 均匀性
2022/3/16
中国计量科学研究院新建的热中子参考辐射装置采用12枚241Am-Be中子源，分别由高纯石墨和重水慢化形成内、外两个参考辐射场。该装置主要用于基准值的量值传递并为热中子探测器、热中子成像等研究提供实验平台。利用未包镉和包镉金箔活化进行热中子注量率和镉比测量，采用金箔单面包镉计算反射腔参考点前后方中子注量率之比；使用SP93He探测器扫描方法来表征腔内均匀性。测量和计算结果表明：外场反射腔参考点处中子...
宇宙中的重元素是如何合成的至今仍是一个未解之谜。快中子俘获过程（r-过程）是合成重元素最重要的途径之一，这一过程可能发生在双中子星并合过程中。由重元素放射性衰变产生的伽玛射线为研究并合抛射物中的元素组成以及元素丰度演化的提供了理想的探针。本工作基于r-过程核合成模拟和详细的辐射转移计算，研究了双中子星并合过程在天时间尺度上的放射性伽玛射线辐射。通过对伽玛射线产能率和能谱的分析，研究团队发现了两条重...
随着计算机技术、高性能计算技术和反应堆数值模拟技术的快速发展,数字化反应堆成为核能领域发展的一个重要新兴方向.其中,多功能、多物理、多尺度、多过程耦合技术成为数字化反应堆发展的关键技术之一.围绕数字化反应堆耦合关键技术,基于开源的SALOME系统初步研发了耦合建模、计算、可视化功能于一体的多功能辐射输运模拟仿真平台(MOSRT).目前,平台具有简单模型的自动建模、蒙卡辐射输运计算以及结果数据三维可...
天水师范学院物理与信息科学学院原子物理学课件第二章 原子的能级和辐射。
Y2O3/GeO2/环氧树脂基辐射防护材料的制备及性能研究
辐射防护 屏蔽性能 Y2O3 GeO2
2018/10/8
用表面处理稀土氧化物Y2O3,GeO2的方法制备了Y2O3/GeO2/环氧树脂辐射防护材料.采用X射线衍射仪(XRD)研究了材料的微观结构;用多道γ谱仪测试并分析了材料的辐射防护能力.结果表明,制得的材料中的Y2O3和GeO2粒子并未与环氧树脂发生键和反应,Y2O3与GeO2粉末的加入明显提升了材料防护射线的效果.
关于2016年3月举办“辐射安全与防护”初级培训班的通知
辐射安全与防护 2016年
2016/2/23
根据环境保护部令第18号《放射性同位素与射线装置安全和防护管理办法》要求，结合北京市环境保护局2016年度辐射安全与防护培训工作计划，我院将于3月举办“辐射安全与防护初级培训班”。
华北电力大学2015年博士生初试核辐射探测学考试大纲。
应IEEE/NPSS 辐射效应委员会(Radiation Effects Committee)邀请，中科院电子所杨海钢研究员、蔡刚副研究员于近期参加在法国巴黎召开的第51届国际核与空间辐射效应NSREC年会（The 2014 IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference）。
聚四氟乙烯密封材料的电子束辐射效应研究
聚四氟乙烯 电子束 辐射效应
2009/11/27
采用低能电子束辐射系统地研究了操作氚系统用密封材料（聚四氟乙烯）的辐射效应。利用扫描电镜和X光电子能谱仪分析了材料的表观形貌和表面元素的变化，用X射线粉末衍射仪和热分析仪分析了辐照前后材料的结晶度改变和热稳定性程度，并利用气相色谱仪和质谱仪测定了辐射降解气体的成分和生成量随吸收剂量的变化规律。采用电子自旋共振谱仪研究了材料在辐照过程中产生的中间体（自由基），利用正电子湮没寿命谱仪分析了材料中的自由...
钨辐射损伤随辐照剂量变化的重离子辐照模拟研究
辐射损伤 重离子辐照模拟 正电子湮没寿命测量
2009/11/27
采用重离子辐照模拟方法和正电子湮没寿命测量技术研究了钨辐射损伤随辐照剂量的变化。20，60和90dpa（每个原子的位移次数）辐照损伤水平的实验结果表明，辐照在钨中产生单空位、双空位、位错和空位团等缺陷；随辐照剂量的增大，单空位、双空位和位错浓度增加，空位团的尺度和浓度都随之增大。
对10位CMOS ADC7910在不同偏置条件下的电离辐射效应及退火特性进行了研究。结果表明：模数混合电路在不同偏置条件下的电离辐照响应有很大的差异。与加电偏置相比，零偏下0.25 Gy/s (Si)剂量率辐照时的辐射损伤更严重。并对其损伤机理进行了初步探讨。
不同LET 12C6+离子对生防菌BJ1的辐射诱变效应
辐射诱变 生防菌BJ1 LET 12C6+离子
2009/10/29
选取高低两个LET点（40和60 keV/??m）, 剂量点分别为50, 100, 200, 400, 600 Gy进行辐照处理, 研究了生防菌的存活率与突变率的关系, 抑菌谱以及活性等。 结果表明, 在高LET条件下, 低剂量辐照就可以得到较多的突变体, 并且BJ1有较高的存活率和突变谱, 有利于筛选优良的正突变体。 因此高LET较低LET有更为明显的辐射诱变效应。