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2023年5月24，中国科学院上海光学精密机械研究所红外光学材料研究中心董红星研究员和张龙研究员团队在溴氯掺杂量子点自组装超晶格结构中实现稳定蓝光腔增强超荧光，并解析了量子点超晶格结构通过降低电声耦合进而抑制光致相偏析的机制。相关研究成果以“Stable and ultrafast blue cavity-enhanced superflourescence in mixed halide per...
中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室科研方向半导体中的新奇量子现象
中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室 科研方向 半导体中的新奇量子现象 半导体 量子现象
2022/10/4
通过探索半导体及其低维量子结构中的新奇量子现象，发展基于量子效应的新原理、新器件和新应用，旨在解决当前半导体科技中的关键问题，包括解决晶体管面临的物理极限、大规模光电集成缺少片上光源问题、缺乏高性能p型透明导电氧化物等。
中国科学院上海光学精密机械研究所提出基于钙钛矿量子点自组装超晶格微腔的太赫兹量子开关，首次将钙钛矿材料拓展到量子超快应用领域（图）
中国科学院上海光学精密机械研究所 钙钛矿 量子点 自组装 超晶格微腔 太赫兹量子开关
2020/3/5
近日，中国科学院上海光学精密机械研究所激光与红外材料实验室研究员张龙、研究员董红星领衔的微结构光物理研究团队与华东师范大学、湖南大学等机构合作在超晶格微腔量子应用领域研究中取得重要进展，提出基于钙钛矿量子点自组装超晶格微腔的太赫兹量子开关，首次将钙钛矿材料拓展到量子超快应用领域，通过实验和理论验证了超晶格微腔中的腔增强超辐射现象，并基于此现象成功实现0.1 THz的量子开关。相关成果发表于[Nat...
南京大学物理学院刘辉/祝世宁课题组联合厦门大学陈焕阳课题组，利用共形变换光学理论，在实验中得到了光束的自聚焦和共形Talbot效应，并演示了其在数字编码方面的潜在应用价值。相关研究成果发表在Phys. Rev. Lett. 119, 033902 (2017)上，并被编辑选为推荐论文。通常情况下，光在平直时空中沿着直线传播。而根据爱因斯坦广义相对论，光子在弯曲时空中沿着曲线传播。与之类似，非均匀介...
近日，中国科学院深圳先进技术研究院研究员喻学锋与香港城市大学教授朱剑豪合作，在纳米自组装三维超晶格光学芯片领域取得新突破。相关论文Evaporative Self-Assembly of Gold Nanorods into Macroscopic 3D Plasmonic Superlattice Arrays (DOI: 10.1002/adma.201505617) 已被材料学刊物...
高组分稀磁半导体Cd1-xMnxTe/CdTe超晶格的荧光谱研究
荧光谱 超晶格 稀磁半导体
2009/10/29
报道用分子束外延(MBE)技术生长的x=0.4, 0.8的高组分稀磁半导体Cd1-xMnxTe／CdTe超晶格低温和室温荧光谱研究结果。基态激子跃迁能级荧光谱实验结果显示高组分超晶格中具有高量子效率和高质量光发射。对激子能级随温度的变化进行了详细研究，给出激子跃迁能量的温度系数。激子能级线型的展宽随温度变化关系可用激子-纵向光学声子耦合模型解释。与光调制反射谱实验结果进行了比较。
Ce3+注入对超晶格中硅纳米晶光致发光强度的影响
超晶格 硅纳米晶 离子注入
2009/10/26
研究了铈离子注入和二次退火等因素对硅纳米晶(nc-Si)发光强度的影响。利用电子束蒸发以及高温退火得到nc-Si/SiO2超晶格结构。随后将该结构样品分别注入2.0×1014 cm-2和2.0×1015 cm-2剂量的铈离子(Ce3+)，再分别以不同温度对其进行二次退火，获得多种样品。通过对样品光致发光光谱的分析发现，Ce3+注入后未经过二次退火的样品发光强度急剧下降。二次退火后的样品，随着退火温...
SiO/SiO2超晶格结构界面发光的研究
超晶格 界面态 悬挂键
2009/10/26
利用热蒸发技术在硅衬底上制备了层厚不同的SiO/SiO2超晶格样品。对其光致发光谱进行研究发现，随着SiO/SiO2超晶格中SiO层厚度的增加，发光峰在400～600 nm之间移动。研究表明，样品的发光中心来自于SiO/SiO2界面处的缺陷发光(界面态发光)。即在样品沉积的过程中，在SiO/SiO2的界面处由于晶格的不连续性，会形成大量的Si—O悬挂键，这些悬挂键本身相互结合可以形成一定数量的缺陷...
二维光子晶体层状超晶格透射特性研究
光子晶体 超晶格 平面波展开法
2009/8/14
把平面波展开法(Plane Wave Expansion Method,PWM)用于数值研究圆柱柱体粗细及折射率层状间隔构成的二维光子晶体超晶格的传输特性.数值结果表明,层状超晶格的透射谱中禁带宽度在柱体折射率相同时与粗细柱体半径差异成线性关系,半径相差越大禁带宽度越小,禁带中心位置越向低频方向移动.在半径相同时禁带宽度与层间折射率差异同样成线性关系,折射率相差越大禁带宽度越小,禁带中心位置越向低...
基于一维光子晶体超晶格的多通道平顶透射特性
光子晶体 超晶格 多通道滤波
2009/8/14
基于一维光子晶体超晶格理论及耦合腔理论,提出了一种具有多个平顶透射峰的超晶格结构.把传统单一材料的耦合腔换成有限周期的光子晶体结构,形成一种超晶格结构.通过使插入的光子晶体的光场有效耦合,能够产生多个平顶透射峰.运用传输矩阵法,研究了该结构的光谱特性以及结构和材料参量对透射峰的位置和半峰全宽的影响.计算结果表明,该结构具有较宽的带隙,并且多个平顶透射峰对称分布,透射率高,误差容忍度好.详细讨论了透...
光强对短脉冲在准周期光学超晶格中传输的影响
相位调制 群速色散 准周期Fibonacci光学超晶格
2009/2/20
在考虑自相位调制和高阶群速色散的情况下，分析了超短脉冲在准周期Fibonacci超晶格中传输时，入射光强对脉冲传输特性的影响。结果表明：入射光强度对脉冲传输特性影响很大，不但使频谱展宽，而且限制超晶格的有效长度，是超短脉冲进行频率转换的主要考虑因素之一。
Ⅰ类超晶格势阱中能级分布及电子跃迁规律研究
2007/8/20
在研究大量实验曲线的基础上,指出势阱所有能级均有一定的宽度,电子或空穴在各能级中出现的概率符合正态分布,从理论上分析了I类超晶格和双势垒单势阱的发光光谱与吸收光谱.解释了GaAs/Ga1－xAlxAs多量子阱和超晶格吸收光谱吸收边及量子阱变窄时各吸收峰的“蓝移现象”及GaAs/Ga1－xAlxAs双势垒单量子阱样品的电流—电压特性曲线及电导—电压特性曲线的特征和出现的“负阻效应”.