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近日，中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家实验室许智、王文龙、白雪冬、王恩哥等人提出了一种新的方法，在生长单壁碳纳米管过程中，原位进行硼(B)、氮(N)共掺杂，实验和理论研究发现，硼、氮共掺杂使金属性碳纳米管转变为半导体。

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