搜索结果: 1-7 共查到“知识库 理学 p-MOSFET”相关记录7条 . 查询时间(0.101 秒)
采用SentaurusProcess工艺仿真工具，验证了超薄硅膜内单次纵向离子注入并快速热退火后所实现的轻掺杂杂质分布符合高斯规律。设计杂质纵向高斯分布的轻掺杂纳米UTBB-SOIMOSFET，用虚拟阴极处反型载流子浓度来定义阈值电压的方法，为器件建立二维阈值电压解析模型。通过与SentaurusDevice器件仿真结果对比分析，发现：阈值电压模型能准确预测器件在不同掺杂、器件厚度和偏置电压下的阈...
毫米波频段下纳米MOSFET的导纳参数建模及应用
纳米MOSFET 导纳参数 小信号等效电路 毫米波
2019/1/18
为了统一表征毫米波频段下纳米MOSFET从强反型区到弱反型区的偏置依赖性，对高频MOSFET等效电路建模及其参数提取技术进行了研究，给出了一种简单、精确的小信号模型参数获取方法。基于45 nm MOSFET的器件物理结构，通过综合考虑该器件的本征物理特性、管脚电磁特性以及测试焊盘与测试互连线的寄生特性，描述了一种适用于参数提取的MOSFET毫米波等效电路模型。通过对所给出的45 nm MOSFET...
毫米波频段下纳米MOSFET的导纳参数建模及应用
纳米MOSFET 导纳参数 小信号等效电路 毫米波
2019/1/18
为了统一表征毫米波频段下纳米MOSFET从强反型区到弱反型区的偏置依赖性，对高频MOSFET等效电路建模及其参数提取技术进行了研究，给出了一种简单、精确的小信号模型参数获取方法。基于45 nm MOSFET的器件物理结构，通过综合考虑该器件的本征物理特性、管脚电磁特性以及测试焊盘与测试互连线的寄生特性，描述了一种适用于参数提取的MOSFET毫米波等效电路模型。通过对所给出的45 nm MOSFET...
绝缘层上应变SiGe沟道p-MOSFET电学特性模拟分析
SGOI p-MOSFET Ge合金组分
2013/9/23
利用数值模拟软件ISE TCAD对绝缘层上应变SiGe(SGOI)和Si(SOI)p-MOSFET的电学特性进行了二维数值模拟.计算结果表明，与传统的SOI p-MOSFET相比，SGOI p-MOSFET的漏源饱和电流几乎要高出两倍; 其亚阈值电流要高出1～3个数量级.Ge合金组分作为应变SiGe沟道MOSFET的重要参数，就不同Ge合金组分对SGOI p-MOSFET的电学特性的影响也进行了较...
On the possibility of obtaining MOSFET-like performance and sub-60 mV/decade swing in 1D broken-gap tunnel transistors
obtaining MOSFET-like performance sub-60 mV/decade
2010/11/25
Tunneling field-effect transistors (TFETs) have gained a great deal of recent interest due to their potential to reduce power dissipation in integrated circuits. One major challenge for TFETs so far h...
国产工艺的部分耗尽SOI MOSFET 总剂量辐照效应及可靠性
总剂量辐照效应 退火效应 可靠性
2011/8/17
对国产工艺的部分耗尽SOI MOSFET 60Co γ射线的总剂量辐照效应及其可靠性进行了研究。结果表明：辐照引入的氧化物陷阱电荷是阈值电压漂移的主要因素；背栅对总剂量辐照更为敏感，但在背栅特性漂移未超出一定范围的情况下，依然是正栅氧化层质量决定了器件的抗辐照性能；界面态陷阱电荷的散射作用降低了器件的源漏饱和电流；总剂量辐照后器件的常规可靠性可能会降低。
Ionizing Radiations and Annealing Influence on MOSFET Charge States
Annealing Influence Ionizing Radiations MOSFET Charge States
2010/4/16
The threshold voltage shift D VT and its components due to trapped-oxide charges D VNot and Si-SiO2 interface traps D VN in MOSFET exposed to Bremsstrahlung, Co60 irradiation and annealing were studie...