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搜索结果:
1-2
共查到
“
知识要闻 理学 SiO2
”
相关记录2条 . 查询时间(0.118 秒)
复旦大学李晔飞和刘智攀确定了场效应晶体管中
Si
/
SiO2
界面的极限最小稳定结构(图)
场效应晶体管
半导体芯片
ML-interface方法
Si/SiO2界面
2022/6/13
场效应晶体管(FET)是半导体芯片的核心部件,其尺寸大小决定了芯片的集成密度。而FET晶体管的终极物理尺寸,很大程度上取决于在栅极处
Si
/
SiO2
界面的结构和性能:界面的尺寸过大会导致集成度降低,芯片性能下降;界面的尺寸小,晶体管中源极到漏极之间的电流会受到量子隧穿效应的影响,导致明显的漏电和高的能耗。当前芯片中晶体管的栅极长度(即源极到漏极间的距离)实际上已经达到了几纳米的尺寸,如台积电最新的5...
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中国科学院物理研究所成功实现高质量大面积外延石墨烯与Ru基底表面间的
SiO2
绝缘插层(图)
高质量
石墨烯
Ru基底表面
SiO2绝缘插层
2021/1/25
近年来,中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心纳米物理与器件重点实验室高鸿钧院士带领研究团队在石墨烯及类石墨烯二维原子晶体材料的制备、物性调控及应用等方面开展了系统的研究和探索,取得了一系列重要研究成果。在早期的研究工作中,他们发现在过渡金属表面外延生长的石墨烯具有大面积、高质量、连续、层数可控等优点 [Chin. Phys. 16, 3151 (2007); Adv. Mater. 2...
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