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场效应晶体管（FET）是半导体芯片的核心部件，其尺寸大小决定了芯片的集成密度。而FET晶体管的终极物理尺寸，很大程度上取决于在栅极处Si/SiO2界面的结构和性能：界面的尺寸过大会导致集成度降低，芯片性能下降；界面的尺寸小，晶体管中源极到漏极之间的电流会受到量子隧穿效应的影响，导致明显的漏电和高的能耗。当前芯片中晶体管的栅极长度（即源极到漏极间的距离）实际上已经达到了几纳米的尺寸，如台积电最新的5...