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喜报!中国电子学会提名的8个项目荣获2023年度国家科学技术奖!(图)
中国电子学会 科学技术奖
2024/9/18
海军工程大学兵器工程学院一行来合肥工业大学微电子学院调研交流(图)
兵器工程 海军
2024/8/1
合肥工业大学微电子学院与颀中科技签署产学研战略合作协议(图)
颀中科技 战略合作 电子信息
2024/8/1
中国科学院微电子研究所欧洲核子中心ATLAS国际合作组代表团访问微电子所(图)
核子 微电子 探测器
2024/6/28
2024年5月12日,欧洲核子中心大型强子对撞机实验ATLAS国际合作组发言人Andreas Hoecker、ATLAS资源调配负责人David Francis、ATLAS探测器升级项目负责人Benedetto Gorini、ATLAS高颗粒度时间探测器项目经理Joao Guimaraes da Costa访问微电子所。微电子所副所长罗军及微电子所先导中心、高能所实验物理中心部分科研骨干参加了交流...
圆偏振发光(CPL)是指手性物质受激发后发射出具有差异的左旋和右旋圆偏振光的现象。2024年来,鉴于其在新型光学显示器件、手性纳米光电器件、手性识别和催化、对比成像及信息存储和加密等领域的广泛应用前景,CPL材料受到了研究人员的广泛关注。目前大多数手性发光分子材料的CPL性能还达不到实际应用的需求,制备兼具高效发光和高不对称发光因子(glum)的CPL材料是该领域一个难点。
江西省科学院在高性能有机光伏器件制备方面取得新进展(图)
高性能 有机光伏 器件
2024/7/3
中国科学院成都分院重庆研究院在薄膜光伏领域取得新进展(图)
薄膜光伏 光电性能 有机半导体材料
2024/7/21
有机半导体材料在溶液中预聚集直接影响后续成膜及光电性能。对于溶液中有机半导体聚集行为的直接观测,有助于解析这一类超越分子层次的特殊构效关系。冷冻电镜可以将溶液态的分子迅速冷冻定型,由此可以直观揭示有机分子在溶液中的聚集行为。2024年6月14日,中国科学院重庆绿色智能技术研究院(以下简称重庆研究院)研究人员与沙特阿卜杜拉国王科技大学的研究人员合作,通过冷冻电镜对有机光伏材料分子的溶液聚集行为进行了...
中国科学技术大学在功率电子器件领域取得重要进展(图)
功率 功率电子器件 中国科学技术大学
2024/6/19
中国科学院微电子所在全自旋神经形态计算硬件研制及电路实现方面取得新进展(图)
神经 计算硬件 电路
2024/6/28
神经形态计算因其在AI和大数据分析中的巨大应用潜力, 在全球范围内引起了广泛关注。为克服传统CMOS晶体管技术局限,科研人员长期致力于探索基于新型非易失性存储器(NVMs)和自旋电子器件的硬件实现方案。目前,已有多种类型的NVMs被用于实现神经网络中各种运算并显示出广阔前景,其中自旋电子器件凭借自身丰富和可控的自旋动力学特性, 被认为是实现模拟突触和神经元功能的理想候选之一。
中国科学院宁波材料技术与工程研究所量子点发光二极管的最新进展:材料、器件结构及显示应用(图)
量子 材料 器件结构 应用
2024/6/19
量子点是一种具有三维限域效应的半导体纳米材料。以之为基础研发的量子点发光二极管(QLED)具有色彩纯度高、色域广、启亮电压低、亮度高等优点,是有一种极具前途的新型显示技术。对其电致发光机理、器件设计原则、失效机制的全面理解,有助于推动QLED显示技术的快速发展。
北京时间2024年6月7日,电子科技大学光电科学与工程学院刘富才教授团队在全球顶级学术期刊Science《科学》上以First Release形式在线发表了题为“Developing fatigue-resistant ferroelectrics using interlayer sliding switching”最新研究成果。电子科技大学为第一完成单位,刘富才教授为共同通讯作者,光电科学与工...
中国科学院宁波材料所在氮化钛单晶的强关联电子研究方面取得进展(图)
氮化钛单晶 电子 半导体芯片
2024/6/19
由于具有高硬、难熔、耐磨、耐腐蚀、高导电性、良好半导体及生物兼容性等优异综合物理化学性质,以氮化钛(TiN)为代表的过渡金属氮化物在极端环境涂层、半导体芯片、生物医疗、纳米光子学、超导量子计算等领域的很多方面具有不可替代性。同时,过渡金属氮化物也展现出了许多新奇的量子现象,如超导-绝缘转变、超绝缘态以及超导赝能隙等。然而,与被广泛研究的过渡金属氧化物和过渡金属硫化物相比,由于缺乏高质量单晶材料,对...
中国科学技术大学在二维器件范德华接触研究中取得进展(图)
二维器件 范德华接触 中国科学技术大学
2024/6/19
中国科学院金属所在二维半导体的三维集成研究取得进展(图)
二维半导体 三维集成
2024/6/3
经过数十年发展,半导体工艺制程不断逼近亚纳米物理极限,传统硅基集成电路难以依靠进一步缩小晶体管面内尺寸来延续摩尔定律。发展垂直架构的多层互连CMOS逻辑电路,从而获得三维集成技术的突破,是国际半导体领域积极探寻的新路径之一,多家半导体公司争相发布相关研究计划。