搜索结果: 31-45 共查到“知识要闻 电子科学与技术”相关记录55条 . 查询时间(1.11 秒)
砷化镓霍尔器件高技术产业化示范工程通过验收
砷化镓霍尔器件 验收
2009/9/22
为了发展高技术产业化，促进产业结构调整，由中国科学院主持的 “砷化镓霍尔器件高技术产业化示范工程”项目于2009年9月3日在北京通过国家发展和改革委员会验收。示范工程由北京华源科半光电子科技有限责任公司和浙江博杰电子有限公司共同承担，项目采用中科院半导体所自主知识产权的技术，以新方法、新工艺，提高了器件的抗静电击穿能力、线性度和成品率，大幅度降低了生产成本，将形成年产1亿只砷化镓霍尔器件批量生产规...
碳化硅发光和大功率白光LED项目通过验收
碳化硅发光 大功率白光LED
2009/9/14
2009年9月11日，山东省经济和信息化委员会在山东大学主持召开了徐现刚教授承担的山东省信息产业发展专项资金项目“碳化硅发光和大功率白光LED技术研究和产业化项目”验收会。山东省经信委副主任张宁波、中电集团第13研究所副所长蔡树军研究员，山东大学蒋民华院士、校长助理贾磊等出席验收会。
我国大尺寸功率半导体打破国外核心技术垄断
大尺寸功率半导体 技术垄断
2009/9/11
2009年9月8日，历经22个月建设的中国南车时代电气股份有限公司大尺寸功率半导体研发及产业化基地正式投产。这标志着我国在轨道交通、电力、化工、冶炼等领域，打破了国外核心技术和产品的垄断。
国际电介质研究中心在西安交通大学成立
国际电介质研究中心 西安交通大学
2009/9/1
2009年8月28日上午，第一届国际电介质中心全体理事会议在西安交通大学召开，美国宾州州立大学L.Eric Cross教授、西安交通大学中科院院士、美国国家工程院外籍院士姚熹、宋晓平副校长为国际电介质中心授牌，为国际电介质中心理事会和顾问委员会成员颁发聘书，西安交通大学第一个国际性学术研究中心成立。
10GHz 8-bit超高速DDS芯片研制成功（图）
10GHz 8-bit 超高速DDS芯片
2009/8/24
近日，中科院微电子所微波器件与集成电路研究室（四室）HBT超高速电路小组在刘新宇研究员和金智研究员的带领下研制成功两款基于1um GaAs HBT工艺的8-bit超高速直接数字频率综合器（Direct Digital frequency-Synthesizer, DDS）芯片DDS1和DDS2。
四川省SIP工程技术中心成立大会在电子科技大学举行
四川省 SIP工程技术中心 成立
2009/8/19
2009年8月7日，四川省高密度集成器件（SIP）工程技术中心成立暨发展规划研讨会在我校电科院召开，标志着四川省高密度集成器件（SIP）工程技术中心成立并进入正式运行。
何祚庥解读争议中前行的新型光伏发电技术（图）
何祚庥 新型光伏发电技术
2009/8/20
“这项具有完全自主知识产权的光伏发电技术，我个人认为，是当今世界最先进、发电成本最低廉的光伏发电技术。它将使太阳能发电在我国的大规模应用很快成为现实。”最近，中国科学院理论物理研究所研究员何祚庥在考察完甘肃武威的新型光伏电站后评价说。
纳米结构电荷俘获材料及高密度多值存储研究项目立项
纳米结构电荷俘获材料 高密度多值存储
2009/8/10
以中国科学院微电子研究所为首席单位承担的，国家重点基础研究发展计划（“973”）“纳米重大科学研究计划”中的“纳米结构电荷俘获材料及高密度多值存储基础研究”项目于近日立项。
中国共产党党员，我国电光源研究的开拓者，复旦大学教授、原副校长蔡祖泉同志，因病医治无效，于2009年7月17日12时36分在华东医院逝世，享年84岁。 蔡祖泉，男，1924年11月生，浙江余杭人。1949年加入中国共产党，解放后在上海药厂工作。自学成才，1952年到复旦大学工作，历任复旦大学电光源研究所所长、复旦大学副校长等职。1992年退休。
微电子研究所研制出数款射频、模拟关键集成电路
射频 模拟 集成电路
2009/7/14
近日，中国科学院微电子研究所电子系统总体技术实验室（六室）自主研制成功国内首款S/U双波段CMMB射频前端芯片、国内首款集成高精度ADC的高精度CMOS温度传感器芯片以及数款中高速模数转换器（ADC）芯片等射频、模拟关键集成电路，这些电路在多媒体、通信、工业控制等领域具有广阔的应用前景。
微电子研究所有机电子器件和阻变、纳米晶浮栅存储器研究取得进展
有机电子器件 阻变 纳米晶浮栅存储器
2009/7/14
在中科院、国家自然科学基金委、科技部的支持下，中科院微电子所微细加工与纳米技术研究室研究员刘明领导的有机分子电子器件小组长期以来致力于分子电子学中的基本问题的研究，近期在高性能有机场效应晶体管方面取得了最新的研究进展。相关研究成果发表在6月29日出版的英国皇家学会的知名期刊《材料化学》（Journal of Materials Chemistry. 2009, advanced article）上...
中科院上海光机所空间激光通信及检验技术重点实验室在重大项目的支持下，自2008年开始合成孔径激光成像雷达技术的研究，目前已经取得阶段性突破进展。已实现实验室尺度缩小合成孔径激光成像雷达装置的二维目标的同时距离向和方位向的成像，实现了合成孔径激光雷达的光学、光电子学和计算机处理的全过程贯通。这是世界上第三个成功的实验报道。
为加速推进我国无源电子元器件行业技术进步和产业提升，建立以企业为主体、市场为导向、产学研相结合的技术创新体系，增强和提高自主创新能力，由清华大学深圳研究生院、广东风华高新科技股份有限公司和深圳市顺络电子股份有限公司发起，联合其它高校、科研院所和企业共同组建了“无源电子元器件及集成”产学研创新联盟。6月26日上午，无源元器件与集成省部产学研创新联盟成立大会暨无源元器件学术论坛在深圳市五洲宾馆隆重举行...
上海技术物理研究所首创大功率半导体照明器件升级筛选技术条件
上海技物所 首创 大功率半导体照明器件
2009/6/26
近日，中科院上海技物所科研人员首次编制了适合我国载人运输飞船的“大功率半导体照明器件升级筛选技术条件”，并成功筛选了符合航天元器件EEE保证大纲要求和适应舱外环境应用要求的大功率半导体照明器件，已在神舟七号载人运输飞船出舱活动任务中得到成功验证，为目前尚无高质量等级的大功率LED器件在航天领域的应用探索了可行的技术途径。在上海市科委的支持下，“航天照明用大功率LED筛选规范”项目也已于去年启动，并...
硅基单片集成可重构光学上下路分插复用器获重要进展（图）
硅基单片集成 光学
2009/6/9
中国科学院半导体研究所光电系统实验室于2009年初在国际上首次实现了基于硅纳米线的单片集成4路可重构光学上下路分插复用器件。该器件结构紧凑，有效面积为1000×500m2，可以实现4路DWDM波长信号的动态路由配制，路由重构时间为亚毫秒量级，器件性能达到国际水平，部分指标领先。相关研究成果在国际著名光学期刊Optics Express上发表[Optics Express 17 (2009) 550...