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中国科学院合肥物质科学研究院专利：对tnt具有敏感分子识别的分子印记氧化硅纳米粒子的制备方法
中国科学院合肥物质科学研究院 专利 tnt 敏感分子识别 分子印记 氧化硅 纳米粒子
2023/12/12
中国科学院合肥物质科学研究院专利：对tnt具有敏感分子识别的分子印记氧化硅纳米粒子的制备方法
本发明提供一种化合物锶锌硼氧和锶锌硼氧非线性光学晶体及制备方法和用途。该化合物的化学式为SrZn2(BO3)2，分子量为336.06，采用固相合成法制成；该晶体的化学式为SrZn2(BO3)2，分子量为336.06，属于正交晶系，空间群为Aba2，晶胞参数为a=12.2205(12)Å，b=8.7361(9)Å，c=4.9882(4)Å，α=90°，β=90°，γ=9...
本发明提供一种化合物硼酸铷和硼酸铷非线性光学晶体及制备方法和用途，所述化合物的化学式为RbB3O5，分子量为197.90，采用固相合成法或真空封装法制备；该晶体的化学式为RbB3O5，分子量为197.90，属于单斜晶系，空间群为Cc，晶胞参数为a=10.163(3)Å，b=8.391(2)Å，c=6.1222(16)Å，β=122.755(8)，Z=4，V=439.0...
本发明涉及一种深紫外波段的硼酸铷钡双折射晶体及制备方法和用途，该晶体的化学式为Rb5Ba2B21O36，分子量为1505.02，属三斜晶系，空间群为P，晶胞参数为a=6.7686(7)Å，b=11.0035(12)Å，c=11.2465(11)Å，α=99.443(4)°，β=90.790(4)°，γ=99.855(4)°，Z=1，V=813.32(15)Å...
拓扑绝缘体量子输运性质研究取得进展（图）
拓扑绝缘体 量子输运 凝聚态物理
2024/1/9
电子-电子相互作用、量子干涉和无序对输运性质的影响是凝聚态物理研究的一个重要主题。量子干涉的一阶效应包括被广泛研究的弱局域化(weak localization)和反弱局域化(weak antilocalization)效应，分别对应于正交对称性(orthogonal symmetry)和辛对称性(symplectic symmetry)的体系。2004年Minkov等发现，对于前者，比如无序足够...
从量子霍尔效应发现至今的四十余年间，拓扑体系一直是凝聚态物理研究的重点和热点之一，特别是在关联电子体系的拓扑物态方面发现了十分丰富的物理现象，如分数量子霍尔效应、拓扑莫特绝缘体、强关联陈绝缘体、量子自旋液体、拓扑超导等等。然而，目前能够对相互作用强度进行可控调节和定量研究的拓扑体系仍然较少。最近，中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心Q02/HX-Q02课题组的沈洁特聘研究员、吕力研究员...
中国科学院合肥物质科学研究院专利：高密度等离子体增强化学气相淀积与刻蚀设备
中国科学院合肥物质科学研究院专利：一种便携式光离子化检测器的电离室
本发明涉及一种氟化硼磷酸铵化合物和氟化硼磷酸铵非线性光学晶体及制备方法和用途，该化合物的分子式为(NH4)3B11PO19F3，分子量为565.01，采用固相法制成；该晶体的分子式为(NH4)3B11PO19F3，分子量为565.01，该晶体属三方晶系，空间群为R3，其晶胞参数为a=b=11.3782(17)Å，c=11.912(3)Å,Z=3，α=β=90°，γ=120°，V...
本发明提供一种化合物低温相九硼酸锂锶和九硼酸锂锶非线性光学晶体及制备方法和用途，该化合物的化学式为LiSrB9O15，分子量为431.85，采用固相合成法或真空封装法制成；该晶体的化学式为LiSrB9O15，分子量为431.85，属于正交晶系，空间群为P212121，晶胞参数为a=8.5432(5)Å，b=8.6390(4)Å，c=14.8622(8)Å，α=β=γ=...
中国科学院深圳先进技术研究院专利：一种低温等离子体汽车尾气净化装置
中国科学院深圳先进技术研究院专利：一种气流交换器的透气膜装置
中国科学院深圳先进技术研究院 专利 气流交换器 透气膜装置
2023/12/8
中国科学院深圳先进技术研究院专利：一种气流交换器的透气膜装置
中国科学院深圳先进技术研究院专利：一种多磁性目标的定位方法及定位系统
中国科学院深圳先进技术研究院专利：一种预投影光线投射体绘制的并行处理方法
中国科学院新疆理化技术研究所专利：一种氟硼酸铯晶体的生长方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 氟硼酸铯晶体
2023/12/7
本发明涉及一种氟硼酸铯晶体的生长方法，该方法用熔体法生长晶体，通过在氟硼酸铯原料中添加降粘剂，使得高温熔体的粘度大大降低，同时由于降粘剂在熔体法生长氟硼酸铯晶体中的分凝系数远小于1，因此通过温场调控手段使得晶体实现微凸界面生长可以将降粘剂在生长界面处排到熔体中，从而使晶体生长更易进行，更易获得较大尺寸的晶体以及晶体生长效率更高，实现氟硼酸铯晶体的工业应用。