搜索结果: 1-7 共查到“红外与夜视技术 n-GaAs”相关记录7条 . 查询时间(0.093 秒)
GaAs光阴极激活稳定性研究
GaAs光阴极 激活 稳定性 表面势垒
2016/8/19
为了提高Cs-O激活后GaAs光阴极的稳定性，延长像管的使用寿命，从Cs-O激活方面着手进行研究，寻找解决途径。改变GaAs光阴极激活中的Cs过量，并在线监测真空环境下光电流的变化情况，寻找激活对GaAs光阴极稳定性的影响因素。分别进行3组5种比例的激活实验，在光电流下降至Cs峰峰值90%、70%、50%、30%和10%时给O进行交替激活。激活结束后，在低于1×10-8Pa的真空环境下在线监控30...
高温退火对GaAs光阴极表面状态的影响
GaAs光阴极 表面 高温退火 XPS
2016/8/19
利用XPS分析了GaAs光阴极高温退火、激活前后表面组分的变化，结合光阴极退火过程中通过四级质谱仪获取的CO2、H2O、O、As、Cs等分压曲线，比较、讨论了两次退火机理的差异。提出第二次加热的目的不仅在于清洁光阴极表面，更重要的是促使第一次激活在光阴极表面形成的偶极层向更稳定的结构转化，Cs2O偶极子在高温下与GaAs本底反应生成了可在光阴极表面稳定存在的GaAs-O-Cs偶极子，形成主要由键合...
均匀掺杂GaAs光阴极表面势垒特性研究
GaAs光阴极 三偶极子模型 表面势垒 电势分布
2016/9/1
根据激活过程中光电流变化规律及原位光谱响应测试，模拟了GaAs光阴极表面势垒的形成过程，在光阴极表面双偶极子模型的基础上作了修正，建立了三偶极子模型。新模型认为，光阴极表面势垒由三个偶极层套构而成，第一偶极层由GaAs（Zn）-——Cs+偶极子组成，第二偶极层由Cs2O偶极子组成，第三偶极层由GaAs-O-Cs偶极子组成，第二、三偶极层嵌入第一偶极层中。根据隧道效应与量子效率测试结果，确立了势垒中...
GaAs-玻璃粘接阴极组件热辐射放气成份质谱分析
GaAs组件 玻璃粘接 热辐射除气
2009/9/22
为解决负电子亲合势GaAs光电阴极电子发射灵敏度低的问题，运用质谱计对GaAs-玻璃粘接阴极组件在高温热辐射除气时的放气成份进行了分析, 获得了GaAs电子发射层原子级表面。结果表明：组件150℃为表面放气，450℃为材料体内放气，580℃为洁净表面获得温度，大于650℃ 时GaAs发射层面有As蒸发。这说明严格控制发射层表面洁净温度，是保证制备高性能阴极灵敏度的关键。
不同Cs、O电流比激活对GaAs光阴极灵敏度和稳定性的影响
光阴极灵敏度 光阴极稳定性 Cs-to-O电流比 光电流
2009/9/22
鉴于不同的铯氧电流激活GaAs光阴极时会对激活过程和结果产生不同的影响，从而影响GaAs光阴极的灵敏度和稳定性。以固定铯源电流，改变氧源电流的方式获取不同铯、氧电流比，激活同类GaAs光阴极，得到了3组实验数据。对数据进行分析，结果表明：同类光阴极在相同条件下激活时，光电流出现的时间几乎一致，并且首个光电流峰值也非常接近；激活时ICs/IO=1.07是目前获得高灵敏度、高稳定性GaAs光阴极的最佳...
室温GaAs红外探测器
探测器 红外
2008/10/8
该发明公开了一种基于平板电容随温度变化原理设计的室温GaAs红外探测器。该探测器的结构是：在GaAs衬底上，有一与GaAs衬底牢固结合的高掺杂Si GaAs平板电容下电极层，在下电极层与上电极层的一端头之间有一AlAs支撑层，支撑平板电容上电极层，使上电极层的突出部分被悬空，上电极层的材料为高掺杂Si GaAs。在上电极层上覆盖着一层Si_3N_4吸热层。当探测器的吸热层受到热辐射时，引起上﹑下电...
为了实现光阴极光谱响应向短波延伸，分析了Ga1-xAlxAs/GaAs三代微光光阴极光谱响应向短波延伸的机理，提出了准禁带宽度的概念，讨论了Ga1-xAlxAs的禁带宽度随铝组份x值的增加而逐渐变宽的变化规律，计算了不同铝组份下光阴极光谱响应的短波限。通过提高光阴极材料的铝组份，做出了宽光谱响应像管，并给出了相应的光谱响应曲线。通过与标准三代微光像管光谱响应对比，发现：所得光谱响应曲线不仅向短波方...