搜索结果: 1-6 共查到“电子元件与器件技术 n-GaAs”相关记录6条 . 查询时间(0.015 秒)
GaAlAs/GaAs双异质结发光管中的深能级
发光管 GaAlAs/GaAs双异质结 深能级
2010/5/6
本文用DLTS谱仪和单脉冲瞬态电容技术测量了光通信用GaAlAs/GaAs双异质结发光管中的深能级,对有源区掺Si和掺Ge的相同结构器件,均测得有多子陷阱存在,其能级位置分别为EC-ED≈0.29eV和ET-EV≈0.42eV。比较了外延系统中氧含量变化对有源区掺Si器件深能级的影响,以及有源区EL图象中的DSD与深能级关系,结果表明外延系统中氧含量对深能级有明显影响,而EL图象中DSD的出现率与...
i-GaAlAs/GaAs异质结绝缘栅场效应晶体管的静态特性研究
异质结绝缘栅场效应晶体管 低场特性 结构参数
2009/11/17
本文在改进型电荷控制模型基础上,引进GSW速度场方程,推导出异质结绝缘栅场效应晶体管(HIGFETs)的ID-VD-VG,IDS-VG,Gm,和CG等一系列静态特性方程。计算结果与文献实测值进行了比较,在VG<2V,IDGaAlAs厚度d, GaAs迁移率和温度对Gm的影响。并指出了提高HIGFET...
i-GaAlAs/GaAs HIGFETs器件参数的有限元分析
绝缘栅场效应晶体管 有限元分析 二维数值模拟
2009/9/23
本文用有限元法对 i-GaAlAs/GaAs HIGFETs的稳态特性进行了二维数值模拟和分析。为了在有限内存的微机中,进行快速计算,在程序中,对边界条件,网格剖分和初值选取等方面进行了改进。使计算的收敛速度和精度有了提高。可方便地得到器件内部的电位和载流子浓度等物理量的二维分布。其输出特性和实验数据基本吻合。
本文介绍了一种具有高电子迁移率晶体管(HEMT)和砷化镓单片微波集成电路(GaAs MMIC)的Ku波段低噪声放大器。在11.7～12.2GHz频率范围内,该放大器的噪声系数小于1.9dB,相关增益大于27dB,输入和输出驻波比小于1.4。放大器第一级采用了HEMT和微波串联电感反馈技术,放大器未级采用了Ku波段GsAs MMIC。设计的关键是采用微波串联电感反馈方法同时获得最佳噪声和最小输入驻波...
Effects of Double Delta Doping on Millimeter and Sub-millimeter Wave Response of Two-Dimensional Hot Electrons in GaAs Nanostructures
Carrier mobility Delta doping Hot carriers Quantum wells
2010/2/2
Carrier mobility has become the most important
characteristic of high speed low dimensional devices. Due to
development of very fast switching semiconductor devices, speed of
computer and communica...
This paper reviews the principal activities of NEDI in the field of GaAs MMIC’s with the emphasis on the fabrication technologies and products characteristics. It also describes some highlights of NED...