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注硅不掺杂半绝缘GaAs中的深能级缺陷
注硅砷化镓 快速热退火 离子注入 深能级
2009/11/17
用DLTS法对经两步快速热退火(RTA)后的注硅不掺杂SI-GaAs中的缺陷进行了研究。确定了激活层中存在着两个电子陷阱组(以主能级ET1、ET2标记)及其电学参数的深度分布。在体内,ET1=Ec—0.53eV,σn=2.3×10-16cm2;ET2=Ec—0.81eV,σm=9.7×10-13cm2;密度典型值为NT1=8.0×1016cm-3,NT2=3.8×1016cm-3;表面附近,ET1...