工学 >>> 电子科学与技术 >>> 电子技术 >>> 微电子学 >>>
搜索结果: 1-15 共查到微电子学 MEMS相关记录27条 . 查询时间(0.18 秒)
东南大学1983年开始集成传感器的研究,并于1985年在欧洲固态电子器件会议《ESSDERC¢85,Germany, p.88》报道了集成MOS流量传感器的研究结果;1986年开始了硅片直接键合技术研究,并于1987年在《Applied Surface Science,30(2),397(1987)》报道了硅键合材料的测试结果;1987年开始了微传感器CAD研究,并于1988年在《Solid St...
2021年12月第一届全国博士后创新创业大赛在广东省佛山市举办,中山大学博士后青年英才积极组队参加,展现了中山大学博士后队伍建设的蓬勃气象。本届大赛以“博采科技精华 创新引领未来”为主题,共设创新赛、创业赛、海外(境外)赛和揭榜领题赛等四个组别,约1400个项目以路演和答辩为主要展示形式,线下现场赛和线上云参赛相结合,经过3天的激烈角逐,我校代表团共获得1个银奖、3个铜奖、8个优胜奖的好成绩。
近日,中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心对外发布了基于8英寸CMOS工艺线的硅光子平台和MEMS工艺平台,开始面向国内外企业开展技术服务,标志着我国在硅光子和MEMS领域的研发能力大幅提高,将显著提升企业和科研机构在上述领域的研发进度。硅光子技术是在后摩尔时代微电子与光电子融合趋势下发展起来的新型技术,它利用成熟的CMOS技术和平台并基于硅基材料进行光电器件和芯片的开发与生产。硅光子不...
This Conference reflects from the rapid proliferation of the commitment and success of the Microsystems research community. In recent years, the IEEE MEMS Conference has attracted more than 700 partic...
本文提出了一种基于微电子机械系统(MEMS)工艺的高增益低副瓣太赫兹波纹喇叭天线设计方法。利用三维全波有限元电磁仿真软件Ansys HFSS,对角锥喇叭的波纹开槽尺寸和条数进行参数分析和优化设计,获得了在275 GHz至580 GHz的有效带宽内(回波损耗小于10 dB)增益超过8 dB和副瓣电平小于−13 dB的太赫兹波纹喇叭天线。结果表明波纹开槽可有效提高太赫兹喇叭天线增益并压低副...
本论文报道了一种基于微加工金电极的细胞电穿孔芯片及一套完整的细胞电穿孔系统。该系统能够在多种细胞系中实现高效细胞电穿孔(对典型HEK-293A(人胚胎肾细胞)细胞的穿孔效率高于90%,3T3-L1(小鼠胚胎成纤维细胞)的电穿孔效率高达80%)。并且具有手动模式和自动模式。同时,由于基于独特的电极设计,其所需电压也远低于现有设备(典型工作电压为60V),成本更低,操作更安全。
VTI总裁兼首席执行官Markku Hirvonen表示:“我们正利用在高性能微机电系统领域的专长,计划开发针对消费电子领域的产品,这将挑战当前的市场产品。”
研究了一种新型的基于二维光子晶体结构的表面等离子体共振Surface plasmon resonance(SPR)效应的红外辐射源,该辐射源基本结构为Si-SiO2(650nm)-Cr(100nm)-Au(800nm),并在Au表面刻蚀5m的周期性排列的圆孔。设计加工了几种不同的结构,包括三种不同的圆孔间距即晶格常数:6m, 7m, 和8᠊...
对于MEMS振动陀螺来说,找到一个快速有效的方法来评估其结构参数是非常重要的,比如谐振频率和阻尼系数,应根据微机械陀螺设计和制作的不同阶段,从测试精度、测试速度和试验方便程度等方面考虑,采用不同的方法进行动态试验。本文给出了一种能够判断MEMS器件振动特性的可靠的电测试系统,并通过分析和实验比较了几种微机械陀螺振动系统传递函数的快速测定方法,分析讨论了微机械陀螺振动系统测试方法和数据处理等问题。
体硅MEMS和CMOS电路的单片集成技术是提高传感器性能的有效途径,但是集成技术会对陀螺的设计和CMOS电路的设计提出更高的要求。本文通过建立CMOS-MEMS体硅陀螺的等效电学模型,实现了对CMOS-MEMS体硅陀螺的系统级仿真。通过系统仿真,陀螺的结构部分、电路部分、集成产生的寄生效应以及工艺误差得到了有效的分析,从而能够了解它们相互之间的影响,更好的指导CMOS-MEMS体硅集成器件的设计。
利用MEMS微电镀工艺技术制作了一种新型的适用于RF MEMS能量耦合传输的高Q值电感,采用ANSOFT公司的HFSS优化平面螺旋电感的结构。在具有高电阻率的玻璃衬底上溅射0.5um的铜层作为下电极;PECVD淀积厚度为1umSiO2 作为中间介质层;在介质层上结合厚胶光刻技术电镀厚为22um的铜作为电感线圈。这套电感制作工艺流程简单、易于与IC制备工艺集成。本文制备的微机械电感在微型植入系统中具...
研究了一种抽取版图信息构建系统级模型的技术,即从标准版图文件中提取结构的几何信息和拓扑信息,将其转换对应于系统级中的参数化元件库,并按原始版图拓扑互连,从而生成基于saber仿真平台的系统级模型文件,实现了MEMS工艺级到系统级的数据传递,使用C++编程语言开发了相应的转换接口。通过典型器件——微加速度计和微变形镜的多种结构验证了转换方法的可行性。
MEMS射流角速率传感器的工作原理是当有外加角速度时,腔内射流发生偏转,此时腔内产生的不对称温度分布通过微悬空铂丝输出一个差分电压信号。由于器件中的气流在工作平面上作循环运动,这样器件的性能强烈依赖于悬空热敏检测丝的对称性和平整度。本文考察了不同退火条件对SiC支撑层内应力的影响,结果发现在450°C退火半小时的条件下产生低的张应力SiC,既满足了平整性要求又能很好地保护其下的玻璃衬底。本文还研究...
本文设计并制备了一种低电压的静电驱动接触式单刀四掷(SP4T)RF MEMS开关。单元开关采用以低应力氮氧化硅(SiON)作为桥膜的双端固定桥式结构,并利用附着的金层形成接触结构。整个SP4T开关包括与50Ω特征阻抗相匹配的共面波导,1个输入端,4个输出端,4个静电驱动的侧拉桥,以及4个驱动引出区(pad)。测试数据表明,开关驱动电压18.8V;插入损耗S21<0.26dB@DC-3GHz,S31...
介绍了一种串联电容式RF MEMS开关的设计与制造。所设计的串联电容式RF MEMS开关利用薄膜淀积中产生的内应力使MEMS桥膜向上发生翘曲,从而提高所设计的开关的隔离度,克服了串联电容式RF MEMS开关通常只有在1GHz以下才能获得较高隔离度的缺点。其工艺与并联电容式RF MEMS开关完全相同,解决了并联电容式RF MEMS开关不能应用于低频段(<10GHz)的问题。其插入损耗为-0.88dB...

中国研究生教育排行榜-

正在加载...

中国学术期刊排行榜-

正在加载...

世界大学科研机构排行榜-

正在加载...

中国大学排行榜-

正在加载...

人 物-

正在加载...

课 件-

正在加载...

视听资料-

正在加载...

研招资料 -

正在加载...

知识要闻-

正在加载...

国际动态-

正在加载...

会议中心-

正在加载...

学术指南-

正在加载...

学术站点-

正在加载...