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大规模集成电路用高强度高导电引线框架材料Cu-Cr-Zr合金的研究
集成电路 引线 Cu-Cr-Zr合金
2008/10/30
首先研究了时效温度、时间及时效前变形量对合金时效后的组织与性能的影响，结果表明：合金在600℃时效时可获得较高的导电性；而在450-470℃温度范围内时效时可获得较高的显微硬度；合金时效，析出相为单质Cr和Cu4Zr，且呈细小弥散分布。合金实效后再加以冷变形可提高合金的显微硬度，而导电率略有下降。本课题借助于Cu-Cr-Zr-Mg合金时效过程中导电率与析出相间的内在关系建立了合金导电率与体积分数...
利用直流磁控溅射方法制备了质量厚度为200 μg·cm-2，直径为20 mm的自支撑金属Zr滤光膜。用同步辐射光源和紫外可见分光光度计分别测量了滤光膜在软X射线和可见光波段的透射率，用俄歇电子能谱（AES）分析了膜中的元素含量。结果表明:Zr膜在13.9 nm波长的透射率达19%， 对可见光的抑制性能达43 dB。杂质、膜层氧化及表面污染是影响滤光膜软X射线光谱透射率的主要因素。
The Textural Effect of Cu Doping and the Electronic Effect of Ti, Zr and Ge Dopings Upon the Physical Properties of In2O3 and Sn-Doped In2O3 Ceramics
Cu In2O3 Sn-Doped In2O3 Ceramics
2010/12/16
The electronic properties of Cu-, Ti-, Zr-, and Ge-doped In2O3 (IO) and ITO (Sn-doped In2O3) ceramics are investigated. We distinguish the different effect of Cu doping (so called the “textural effect...