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搜索结果: 1-1 共查到仪器科学与技术 p-GaN相关记录1条 . 查询时间(0.045 秒)
通过溅射的方法制作了Pt/AlGaN/GaN背对背肖特基二极管并测试了该器件对氢气的响应. 研究了Pt/AlGaN/GaN背对背肖特基二极管在25和100℃时对于10%H2 (N2气中)的响应,计算了器件的灵敏度;并比较了两种温度条件下器件对于氢气响应的快慢;空气中的氧气对于器件电流的恢复有重要的作用;最后由热电子发射公式计算了器件在通入10%的氢气前后有效势垒高度的变化.

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