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PHEMT结构一种高电子迁移率晶体管，以其高频和低噪声等方面的优越性，成为当今微电子领域中最活跃的研究主题之一。将其良好的力敏特性应用在加速度计方面更是成为前沿的研究方向。基于GaAs基PHEMT结构压阻效应，设计加工出一种悬臂梁式微加速度传感器，通过力作用在加速度计上，改变PHEMT结构漏极电流的输出，并通过外围测试电路来检测该电流变化，从而实现力电转换。文中，对其基本原理和结构设计进行阐述，并...
利用XPS研究紫外光激发下GaAs晶片表面氧化反应
GaAs晶片 紫外光 XPS
2008/5/6
本文用XPS分析紫外光激发氧化反应后砷化镓表面的化学组成和氧化层厚度。发现， 紫外光激发下， GaAs表面生成氧化膜，同时清除表面污染碳。氧化膜中的镓砷比可以 与基体完全保持一致。用此方法获得具有一定的化学稳定性的，适合于器件制备的钝化层 。发现紫外光激发的砷化镓表面氧化反应的实质是光催化反应。用“紫外光/臭氧处理法” 处理的GaAs晶片，可使器件性能得到改善。
用XPS研究Na_2S钝化的GaAs(100)表面
GaAs(100) Na_2S钝化 XPS
2008/4/30
本文用Na_2S·9H_2O的水溶液及乙醇和异丙醇溶液对GaAs表面进行了钝化处理;用X射线光电子能谱仪(XPS)对钝化表面的化学组成和价态以及钝化层的厚度进行了研究。结果表明,经不同的Na_2S溶液处理后GaAs表面的自然氧化层会被除去,表面生成硫化镓和硫化砷;硫化物的含量与硫化层厚度与所用溶液的极性有关;并对钝化机理进行了探讨。
采用PL Mapping技术，检测6英寸SI-GaAs晶片的均匀性，从而得到样品中的缺陷分布状况。本文主要通过光荧光谱获得样品表面和内部丰富信息，利用光谱图中颜色的不同来分析样品缺陷的不均匀分布等特点；对比样品局部发光强度信号和发光峰位的变化曲线图及化学腐蚀图片，进一步讨论由于缺陷而造成的样品均匀性的变化。