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低真空二次电子图像是在有空气存在的条件下对于没有事先处理过的样品拍摄得到的,小低真空气压一般能达到150MPa左右。当有气体存在时,样品发射出来的电子相互碰撞产生的离子和漂向样品表面的气体分子共同作用抑制电荷形成,因而可以更好地得到一些不能喷涂、不导电的一些样品的表面信息。本文从电子束能量、不同气压条件、电荷诱导等方面来研究低真空二次电子图像的分辨率。
本文利用扫描电子显微镜和X光电子能谱研究SiC抛光片表面氧化行为,发现Si面比C面的氧化更显著,产生更多的氧化产物,提出利用扫描电子显微镜和X光电子能谱来鉴别SiC晶片的Si面和C面的新方法。

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