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搜索结果: 1-15 共查到材料失效与保护 f-Al2O3相关记录15条 . 查询时间(0.078 秒)
In this paper there is presented the laser treatment as a part technology applied for steel surface manufacturing. There is presented laser treatment with remelting of hot work tool steel 32CrMoV12-28...
通过对SEM、孔径分布、孔隙率、弯曲强度等多项性能的测试,研究了由两性氧化物氧化铝烧结而成的陶瓷材料在海水中腐蚀的可能性. 研究结果表明,烧结氧化铝陶瓷在海水中浸泡一年后未发生腐蚀反应.
通过正交试验,研究了4种表面活性剂组合对复合粒子纳米 Al2O3、PTFE的分散状况和对(Ni-P)-Al2O3-PTFE镀层性能的影响,结果表明.阳离子表面活性剂和非离子表面活性剂适合复配作为分散剂添加到镀液中能使纳米粒子得到均匀的分散,可制备出耐磨减摩性能优良的复合镀层.
综述了亚稳相Al2O3生长和向稳态转变的规律,以及温度、氧化时间、合金元素、表面状态等的影响作用.重点介绍了合金元素特别是活性元素对相转变的影响机制、相转变与膜形成脊状形貌的关系,以及相转变对后续氧化行为的影响等. 
采用等离子喷涂方法制备Al2O3陶瓷涂层,研究 了涂层在不同腐蚀介质中的耐蚀性及其失效机制.结果表明,Al2O3涂层在碱性环境中耐 蚀性较强,在酸性环境中的耐蚀性较差,在盐类环境中的耐蚀性一般.陶瓷涂层在腐蚀介质 环境中工作时,因其内部非平衡相、夹杂物、残余应力及孔隙率的存在发生化学腐蚀.
对溅射NiCrAlY涂层进行了900℃,1000℃,1100℃空 气中高温氧化。实验表明,氧化初期生成快速长大的亚稳态θ-Al2O3相,随着氧化时间 延长,θ-Al2O3逐渐转变成α-Al2O3,氧化动力学抛物线常数kp也随之下降 。θ→α-Al2O3相变速度与温度有关,温度越高,相变越快。对涂层进行真空热处理可 促进θ→α-Al2O3转变,使涂层表面快速形成保护性能优异的α-Al2O3。
研究了表面涂覆CeO2对Fe-23Cr-5Al合金900℃和1000℃下形成的Al2O3膜生长应力的影响。涂覆CeO2增大了合金的氧化速率,促进了Al2O3膜的起皱同时也增大了Al2O3膜的生长应力。涂覆CeO2表面形成的起皱的Al2O3膜在冷却过程中剥落量较少;而在真空保温过程中应力不容易释放。认为表面涂覆CeO2对Fe-23Cr-5Al的抗氧化并不能起到改善作用。
采用一种测定氧化膜生长应力的双面氧化弯曲方法,测量了Fe-23Cr-5Al(Fe-22.6Cr-4.42Al-0.21Ti,wt%)合金在1000℃空气中氧化形成的Al2O3膜的平均生长应力,研究了氧化膜应力释放机制。Al2O3膜的平均生长应力随膜厚增大而减小,其大小从-1GPa数量级变化到-100MPa数量级。基体合金和Al2O3膜在1000℃时均发生蠕变。合金氧化一定时间后于真空保温退火,发现...
在已优化的Na2SiO4-Na3PO4复合体系溶液中加入Al2O3粉末对AZ91D镁合金进行了微弧氧化处理。用SEM、XRD分析了加入Al2O3粉末对陶瓷膜的形貌特征和相成分的影响。结果表明,加入Al2O3粉末后陶瓷膜孔洞减少,且疏松层变得紧实;膜层相成分增加了Al2O3。在3.5% NaCl 溶液中的电化学腐蚀试验表明,加入Al2O3粉末后陶瓷膜的耐蚀性有很大提高。
.5A/cm2)\熔盐电解质中保持高Al2O3含量和低NaF/AlF3摩尔比,对降低阳极材料的腐蚀速度有利,这也将是惰性阳极应用的重要条件.
采用一种新颖的离心成型法制备了无宏观界面的Al2O3/Ni功能梯度材料, 并研究了料浆调制工艺、离心成型制备机理和梯度材料的力学性能。结果表明, 配制料浆时,粘结剂(聚乙二醇)含量为2 mass%、固相含量为63vol.%、球磨时间为36h,可得到流动性良好的料浆,经离心成型(40min,转速3000 r/min)得到无宏观界面的坯体,在1400 C真空烧结2 h,最终得到致密、组元宏观连续过渡...
磁控溅射Co-Cr-Al(Y)纳米涂层在1000, 1100和1200℃氧化一定时间后, 用光激发荧光谱技术表征热生长的Al2O3相. 发现氧化层局部区域存在由非稳态相向稳态相的转变, 即: γ→θ→α; 其转变过程随温度升高显著加快, 并在1200℃下变昨不明显. 在相同温度下, Y明显减缓Al2O3相转变过程.
利用电化学方法探讨了在电镀镉及加入Al2O3微粒过程中,Al2O3微粒的加入量对其氢渗入量的影响.试验表明:在其过程中,夹杂Al2O3微粒可以减少氢的渗入量,且随着夹杂到镀层中Al2O3微粒的增加,渗入到基体金属的氢量减少;同时还发现,渗氢电流均是由突峰到稳定,一段时间后再以较快的速度上升,然后缓慢平稳.
Al2O3陶瓷的氢致滞后断裂     A12O3  封装器件  氢致开裂       2007/12/21
Al2O3封装陶瓷在恒载荷下动态充氢能发生氢致滞后断裂,其门槛应力强度因子为KIH=0.71KIc(i=20 mA/cm2)及0.45KIc(i=400 mA/cm2).氢致开裂区全是沿晶断口,而空拉断口则是沿晶和解理构成的混合断口。
文章摘要: 以单晶α-A12O3陶瓷(蓝宝石)和单晶Cu为母材, 采用真空扩散焊接获得具有两种不同的界面晶体位向关系的Cu/A12O3护散焊接头以及带Nb膜中间层的Cu/Nb/A12O3护散焊接头, 研究了界面晶体位向关系对接头断裂能量的影响, 响接头的断裂能量, 界面位向关系为(100)「011」cu||(0001)「1120」A12O3的Cu/A12O3接头断裂能量值最代...

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