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工程与技术科学基础学科 AES
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ITO薄膜的XPS和
AES
研究
化学状态
光电子能谱
俄歇电子能谱
2007/10/26
文章摘要: 分别用XPS和
AES
分析了ITO薄膜真空退火前后各元素化学状态的变化和深度分布情况. 研究表明, 退火前后Sn和In处于各自相同的化学状态中. O以氧充足和氧缺乏两种化合状态存在, 其结合能值分别为(529.90±0.30)eV和(531.40±0.20)eV. 氧缺位状态主要分布在薄膜表层.各元素在薄膜体内分布均匀而在膜基界面存在金属富集.
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