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MSM结构GaAs探测器的抗辐照性能 GaAs半导体粒子探测器辐照损伤 2009/6/17

研究一种双金属接触的GaAs半导体探测器在14MeV中子辐照下的性能.测量了探测器经过1012n/cm2中子辐照剂量后的反向漏电流、电荷收集效率和最小电离粒子能谱,并且与60Co 1.25MeV光子辐照的测量结果相比较.对中子辐照引起探测器时间性能变化和辐照损伤机制进行了探讨.并根据实验结果提出了这种双金属接触GaAs探测器灵敏层分布的一种假设,理论计算和实验数据相符合.