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MSM结构GaAs探测器的抗辐照性能
GaAs半导体 粒子探测器 辐照损伤
2009/6/17
研究一种双金属接触的GaAs半导体探测器在14MeV中子辐照下的性能.测量了探测器经过1012n/cm2中子辐照剂量后的反向漏电流、电荷收集效率和最小电离粒子能谱,并且与60Co 1.25MeV光子辐照的测量结果相比较.对中子辐照引起探测器时间性能变化和辐照损伤机制进行了探讨.并根据实验结果提出了这种双金属接触GaAs探测器灵敏层分布的一种假设,理论计算和实验数据相符合.
GaAs/AlxGa1-xAs球形量子点中的电子结构
球形量子点 解析方法 平面波展开方法 有效质量
2008/11/28
详细讨论了GaAs/AlxGa1-xAs球形量子点内的单电子束缚能级随量子点半径、Al组分以及外电场的变化规律，并计算了考虑量子点内外电子有效质量不同后对电子能级的修正. 另外，用解析和平面波展开两种方法对球形量子点内的电子能级进行了计算，并对计算结果做了比较，发现它们符合的很好. 结论和方法为量子点的研究和应用提供了有益的信息和指导.