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原子级厚度的二维氮化碳因具有3.06 eV的本征带隙而比零带隙的石墨烯在自旋半导体应用方面具有更大的潜能。然而，该材料本身没有未配对电子为本征抗磁性，这限制了其在自旋半导体中的应用。因此，如何在该材料中引入高浓度局域自旋并实现其长程铁磁耦合，从而实现强的室温铁磁性是一项紧迫而具有挑战性的课题。

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