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We present results of a fabrication-process development for the lithographic pattern transfer into the nm100sub range by combining electron-beam lithography and reactive dry etching to obtain ...
InAs0.9Sb0.1 epilayers are grown on GaAs (001) substrates by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD). In order to relax compressive strain caused by lattice mismatch between InAs0.9Sb0.1 and G...

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