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团队通过光学浮区炉生长了低掺杂的Ta:β-Ga2O3，并经过系列光学表征技术，研究了Ta掺杂β-Ga2O3的缺陷能级及退火前后光学性质。研究表示了掺Ta的β-Ga2O3晶体的缺陷能级及在晶体中的两种跃迁机制，计算了Ta在辐射跃迁的激活能。研究表明了Ta掺杂β-Ga2O3的禁带宽度随环境温度的升高而减小，退火处理后晶体的禁带宽度也随之减小，费米能级下降，功函数增加。为Ta掺杂β-Ga2O3单晶光学性...
Multi-quasiparticle structures up to spin $\sim{44}\hbar$ in the odd-odd nucleus $^{168}$Ta
Multi-quasiparticle structures spin $\sim{44}\hbar$ the odd-odd nucleus $^{168}$Ta
2011/1/4
High-spin states in the odd-odd nucleus $^{168}$Ta have been populated in the $^{120}$Sn($^{51}$V,3n) reaction. Two multi-quasiparticle structures have been extended significantly from spin $\sim{20\h...
稀土区奇质子Lu和Ta核旋称反转研究
旋称反转 三准粒子转动带 p-n相互作用
2009/11/27
研究了奇质子核Lu和Ta同位素链h11/2质子9／2[514]转动带旋称劈裂的系统规律，并与同一核区奇奇核的πh11/2×vi13/2两准粒子转动带低自旋区旋称劈裂规律进行了比较，指出奇质子Lu和Ta核三准粒子带的旋称反转很可能是来源于h11/2准质子和 i13/2准中子之间的相互作用。
~（181）Ta中子俘获截面测量
俘获截面 Moxon-Rae探测器
2009/1/5
用“瞬发γ射线法”,测量了 10—100 keV能区~(181)Ta的中子俘获截面。选择~(197)Au的俘获截面作为标准。用~7Li(p,n)~7Be反应产生中子。俘获γ事件用二个Moxon-Rae探测器探测。测量结果与近期其他作者的数据作了比较。
由剂量当量率估算52MeV/u~（32）S+Ta的中子与γ光子产额
剂量当量率 中子 γ光子 产额
2008/12/23
研究通过测量中子和γ剂量当量率估算 5 2MeV/u32 S束轰击Ta靶时的中子与γ光子产额的方法 ,并给出了估算结果。
天然核素Ta和In的快中子俘获截面测量
俘获截面测量 快中子 In 天然核素Ta
2008/11/24
本工作测量了Ta和In在0.34—1.68MeV能区的中子俘获截面.实验中使用大液体闪烁探测器测量瞬发俘获γ辐射,用长中子计数器监测中子能量.为了降低测量中的本底采用了快符合电路和飞行时间技术.截面测量为相对测量,以金的俘获截面作为标准.最后对结果进行了比较和讨论.
期刊信息
篇名
Microstructures and superconducting properties in Ti-doped MgB2/Ta/Cu tape
语种
英文
撰写或编译
作者
Feng Y. Zhao.Y
第一作者单位
刊物名称
Physica C
页面
386 659-662
出版日期
年
月
日
文章标识(ISSN)
相关项目
二硼化镁系列超导体磁通钉扎及其成材研究
磁过滤方法制备ta-C膜的研究
2007/7/28
期刊信息
篇名
磁过滤方法制备ta-C膜的研究
语种
英文
撰写或编译
撰写
作者
张旭,吴先映
第一作者单位
刊物名称
材料科学论坛
页面
p423
出版日期
2003年
月
日
文章标识(ISSN)
相关项目
采用磁过滤真空弧沉积技术制备优质超硬膜的研究
磁过滤方法制备ta-C薄膜的摩擦学性能
2007/7/28
期刊信息
篇名
磁过滤方法制备ta-C薄膜的摩擦学性能
语种
英文
撰写或编译
撰写
作者
张旭,易仲珍,吴先映,张通和,张荟星
第一作者单位
刊物名称
表面和薄膜技术
页面
p120
出版日期
2202年
12月
日
文章标识(ISSN)
相关项目
采用磁过滤真空弧沉积技术制备优质超硬膜的研究