搜索结果: 1-15 共查到“物理学 SiO2”相关记录43条 . 查询时间(0.031 秒)
场效应晶体管（FET）是半导体芯片的核心部件，其尺寸大小决定了芯片的集成密度。而FET晶体管的终极物理尺寸，很大程度上取决于在栅极处Si/SiO2界面的结构和性能：界面的尺寸过大会导致集成度降低，芯片性能下降；界面的尺寸小，晶体管中源极到漏极之间的电流会受到量子隧穿效应的影响，导致明显的漏电和高的能耗。当前芯片中晶体管的栅极长度（即源极到漏极间的距离）实际上已经达到了几纳米的尺寸，如台积电最新的5...
近年来，中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心纳米物理与器件重点实验室高鸿钧院士带领研究团队在石墨烯及类石墨烯二维原子晶体材料的制备、物性调控及应用等方面开展了系统的研究和探索，取得了一系列重要研究成果。在早期的研究工作中，他们发现在过渡金属表面外延生长的石墨烯具有大面积、高质量、连续、层数可控等优点 [Chin. Phys. 16, 3151 (2007); Adv. Mater. 2...
制备了功能聚合物聚烯丙胺(PAH)填充的SiO2反蛋白光子晶体薄膜,实现了对挥发性醛(包括甲醛、乙醛、丙醛、丁醛及戊醛)的可视化检测。当所制薄膜置于醛气体中时,光子禁带红移超过100 nm,薄膜颜色从初始的蓝色变为黄绿色。这是由于SiO2反蛋白石三维大孔结构有利于气体扩散及在孔壁的吸附,PAH的氨基与醛基发生亲核加成反应,同时部分气体在孔壁冷凝,导致薄膜的平均折射率增大;而当薄膜再次置于空气中,由...
采用纳米沉淀法制备了半导体聚合物CN-PPV纳米粒子,并用改进的Stöber方法对纳米粒子进行包覆,获得了发光稳定的SiO2/CN-PPV纳米粒子。用动态光散射(DLS)及透射电镜(TEM)方法对粒子尺寸进行了表征,结果表明包覆前的CN-PPV纳米粒子平均粒径约为30 nm,包覆获得SiO2/CN-PPV纳米粒子的平均粒径约为60 nm。通过紫外-可见吸收光谱及荧光光谱对包覆前后纳米粒子...
基于正交试验方法，系统研究了用离子束溅射法制备SiO2薄膜其折射率、应力与工艺参数（基板温度、离子束压、离子束流和氧气流量）之间的关联性。使用分光光度计和椭圆偏振仪测量SiO2薄膜透过率光谱和反射椭偏特性，利用全光谱反演计算法获得薄膜的折射率，通过测量基底镀膜前后的表面变形量得到SiO2薄膜的应力。实验结果表明，工艺参数对薄膜折射率影响权重从大到小依次为氧气流量、基板温度、离子束流和离子束压，前三...
SiO2纳米颗粒对R6G-乙醇溶液荧光光谱影响
若丹明6G-乙醇溶液 SiO2纳米颗粒 荧光光谱 二聚体
2011/12/19
在3×10－4M和1×10－4M浓度的R6G-乙醇溶液中分别掺杂了8个不同浓度的SiO2纳米颗粒（107～1012 个/mL）.研究了SiO2纳米颗粒（100 nm）对若丹明6G（R6G）荧光光谱的影响,结果表明:n1～n4(1012～1010个/mL)浓度掺杂的SiO2纳米颗粒在549 nm处的有很好的荧光增强作用,对570 nm处的荧光峰有明显的粹灭作用|n5～n8(109~107个/mL)浓...
Atmospheric Oxygen Binding and Hole Doping in Deformed Graphene on a SiO2 Substrate
graphene Raman spectroscopy scanning tunneling microscopy (STM)
2010/11/22
Using micro-Raman spectroscopy and scanning tunneling microscopy, we study the relationship between structural distortion and electrical hole doping of graphene on a silicon dioxide substrate. The obs...
Identification of the major cause of endemically poor mobilities in SiC/SiO2 structures
Identification of the major endemically poor mobilities
2010/11/22
Materials with good carrier mobilities are desired for device applications, but in real devices the mobilities are usually limited by the presence of interfaces and contacts. Mobility degradation at s...
通过建立的匹配生长超晶胞模型，研究了Al2O3/SiO2纳米异质薄膜的结构特点和电子结构.通过第一性原理计算，并与单一相的Al2O3薄膜表面进行了对比，讨论了相关的结构变化.通过分析原子位置、键长和键角的改变，研究了这种Al2O3单层膜的电子结构和化学成键.
采用SiO2/CdSe构建了可见光波段一维光子晶体结构，并在其中引入LiTaO3缺陷层。利用传输矩阵法，分析了电磁波在无缺陷与含LiTaO3缺陷层两种光子晶体中的带隙结构，系统地研究了缺陷层参数对光子晶体可见光波段带隙结构的影响规律。计算结果表明：LiTaO3的引入，有利于带隙宽度的增加，调整缺陷层结构参数，缺陷模的位置可在不同颜色区域出现，如红光、黄光等缺陷模。该结构有望用于制作可见光波段的滤波...
采用改进的碱催化法和种子法分别制得了稀土配合物Eu(TTFA)3掺杂的SiO2杂化胶体球,并用透射电子显微镜和荧光分光光度计对其显微形貌和荧光光谱特性进行了详细地研究.结果表明,两种方法都可以获得单分散性的、稀土配合物掺杂SiO2杂化胶体球,且都具有Eu3+离子典型的荧光光谱特性.Eu(TTFA)3掺杂入SiO2胶体球中后,有机配体TTFA在短波长处的吸收明显增强了,最大的吸收峰位也向短波长方向移...
在薄膜电致发光中采用有机聚合物MEH-PPV和无机半导体SiO2复合制成异质结发光器件，利用SiO2的加速、倍增和离化的二次特性，实现了固态阴极射线发光。结构为ITO/SiO2/MEH-PPV/SiO2/Al的发光器件，其电致发光光谱的显著特征是有两个发光谱带。光谱中除了波长较长(峰值为583 nm)的MEH-PPV的激子发光谱外，还观察到了波长较短(峰值为403 nm)的蓝色发光谱，并且长短波的...
电沉积时间对SiO2-ZnO复合光子晶体形貌及光学特性的影响
光子晶体 电沉积 光子带隙
2013/9/6
采用垂直沉积法成功制备了SiO2光子晶体薄膜. 以SiO2光子晶体薄膜做模板, 采用电沉积和烧结处理在ITO基底上制备了SiO2-ZnO复合光子晶体. 利用扫描电子显微镜观察了SiO2光子晶体模板及不同沉积时间所制备的SiO2-ZnO复合光子晶体薄膜形貌. 研究发现, 当沉积时间较短时, ZnO颗粒随机生长在SiO2微球表面. 随着沉积时间的延长, ZnO颗粒均匀地生长在SiO2微球表面, 以至于...
高能Xe离子辐照引起的注碳a：SiO2中新结构的形成
离子注入 高能离子辐照 新结构
2009/11/27
先用120keV的碳离子注入非晶二氧化硅a：SiO2薄膜，再用能量为1754MeV的Xe离子辐照。注碳量为5．0×10^16—8．6×10^17ion／cm^2，Xe离子辐照剂量为1．0×10^11和5．0×10^11ion／cm^2。辐照后的样品中形成的新结构用显微傅立叶变换红外光谱仪进行测试分析。结果表明，Xe离子辐照引起了注碳a：SiO2中Si—C，C—C，Si—O—C键以及CO和CO2分子...