搜索结果: 1-15 共查到“理学 ITO”相关记录27条 . 查询时间(0.074 秒)
立方形貌ITO粉体的水热法制备及光电性能
立方体形貌氧化铟锡 水热法 光电性能
2019/1/29
以金属In和SnCl4·5H2O为原料,采用水热法在120~140 ℃得到In(OH)3前驱体,该前驱体在550 ℃下煅烧得到立方体形貌的氧化铟锡粉体. 研究了水热反应温度和反应时间对粉体形貌和晶型的影响. 通过热分析仪(TG-DSC)、X射线衍射仪(XRD)、拉曼光谱仪(Raman)、透射电子显微镜(TEM)、四探针电阻仪、X射线光电子能谱仪(XPS)、紫外-可见-近红外分光光度计以及荧光光谱仪...
SELF-AVERAGING FROM LATERAL DIVERSITY IN THE ITO-SCHRODINGER EQUATION
Random media Parabolic approximation Stochastic partial differential equations
2015/7/14
We consider the random Schrodinger equation as it arises in the paraxial regime for wave propagation in random media. In the white noise limit it becomes the Ito-Schrodinger stochastic partial differe...
2014年11月14日至15日,日本理化学研究所Yoshihiro Ito教授到中国科学院长春应用化学研究所进行了学术访问,并做客应用化学系列讲座,为科研人员和研究生作了题为Tissue engineering using growth factors的学术报告。
ITO/Rubrene表面及界面的AFM和XPS研究
XPS Rubrene 化学位移 界面态
2014/3/16
采用原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱仪(XPS)研究了氧化铟锡(ITO)/红荧烯(Rubrene)的形貌和表面、界面的电子态。AFM结果显示,ITO上的Rubrene膜有良好的均匀性。XPS结果表明:C1s谱有3个峰,位于282.50,284.70,289.30 eV,对应于C—Si、C O和C—C键。用氩离子束溅射表面,芳香碳对应的峰值逐渐增大,其他两个峰值迅速消失。随着表面O污染的去除...
Ito diffusions, modified capacity and harmonic measure. Applications to Schrodinger operators
Absolutely continuous spectrum Schr¨odinger operator
2011/2/22
We observe that some special Itˆo diffusions are related to scattering properties of a Schr¨odinger operator on Rd, d 2. We introduce Feynman-Kac type formulae for these stochastic processes wh...
This article introduces a new - somehow mild - Itˆo type formula for the solution process of a stochastic partial differential equation of evolutionary type.
Explicit quasi-periodic wave solutions and asymptotic analysis to the supersymmetric Ito's equation
quasi-periodic wave super-Hirota bilinear asymptotic analysis
2010/4/1
Based on a Riemann theta function and the super-Hirota bilinear form, we propose a key formula for explicitly constructing quasi-periodic wave solutions of the supersymmetric Ito's equation in supersp...
Thickness dependence of the properties of indium tin oxide (ITO) FILMS prepared by activated reactive evaporation
Thin films ITO ARE
2010/7/8
Tin doped indium oxide thin films were prepared on glass substrates kept at room temperature, by activated reactive evaporation (ARE). Structural, electrical and optical properties were studied for fi...
细胞色素C551在ITO电极上的直接电化学
细胞色素C551 ITO电极 直接电化学
2009/12/8
在不加任何电子转移促进剂的条件下,用循环伏安法(CV)和微分脉冲伏安法(DPV)观察到细胞色素C551在ITO导电玻璃上的直接电化学行为.结果显示电极反应过程为准可逆性质,计算得到细胞色素C551的扩散系数、式电位和异相电子转移标准速率常数,并对其在ITO导电玻璃电极上的电子转移机制进行了初步分析.
ITO在NaOH溶液中阳极与阴极极化过程的电化学行为
ITO薄膜 循环伏安 阴极极化 电化学腐蚀
2009/12/1
通过循环伏安法等方法研究了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜的电化学行为. 获得了ITO薄膜在NaOH溶液中阴极和阳极极化处理前后的循环伏安曲线. 采用透射光谱, 方块电阻测试, 扫描电子显微镜(SEM), 能量色散X射线荧光光谱(EDS)与X射线衍射(XRD)表征ITO薄膜经电化学处理后的反应产物. 结果表明, ITO薄膜在阳极处理后(约为+1.5 V(vs SCE))保持了稳定的成分和结构. 但经...
应用循环伏安法和微分脉冲伏安法研究了[Ru(bpy)2tatp]3+/2+(bpy=2,2′-联吡啶, tatp=1,4,8,9-四氮三联苯)在ITO表面上的电化学组装及双十六烷基磷酸盐(DHP)和单壁碳纳米管(SWCNTs)对其组装效果的影响. 研究结果表明, [Ru(bpy)2tatp]2+在ITO电极上1.057 V(vs. Ag/AgCl)电位下呈现出清晰的扩散控制峰. 随着连续伏安扫描次...
PTCDA/ITO表面和界面的X射线光电子能谱分析
表面及界面 X光电子能谱(XPS) PTCDA/ITO
2009/10/30
利用X射线光电子能谱对PTCDA/p-Si有机/无机光电探测器中PTCDA/ITO表面和界面进行了测试分析。结果表明,苝环上的C原子的结合能为284.6 eV,酸酐中的C原子的结合能为288.7 eV,并存在来源于ITO膜中的氧对C原子的氧化现象,界面处C(1s)谱中较高结合能峰消失,且峰值向低结合能发生化学位移;CO键中O原子的结合能为531.5 eV,C—O—C键中的O原子的结合能为533.4...
在具有条形电极的ITO (氧化铟锡)玻璃上负载Fe3+-TiO2薄膜,得到全固态平面型ITO/Fe3+-TiO2/ITO光电催化器件. 利用Keithley 2400数字源电流表对器件施以一定的偏压,以气相甲醛的降解为模型反应,对器件分别进行了空气和氮气条件下的光电催化性能测试. 结果表明,甲醛的存在能够增强体系的光电流,并且在氮气下器件的光电流明显大于在空气下的光电流,说明甲醛参与了电子的迁移过...