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(BN)n团簇的结构和稳定性
密度泛函理论 簇状化合物 氮化硼 化学位移
2007/12/19
摘要 用HF方法、密度泛函理论的B3LYP以及微扰理论的MP2方法，在6—31G(d)基组 水平上，对(BN)n(n=1-16)团簇的各种可能结构进行了优化．讨论了环状与笼状稳 定团簇的几何构型、自然键轨道(NBO）、振动频率、结合能、核独立化学位移 (NICS)和能量二次差分，得到了(BN)n(n＝1-16)团簇结构的稳定性信息．比较了 HF，B3LYP以及MP2三种理论方法对(BN)n团簇的适...
O’-Sialon-BN复合材料在钢液中的侵蚀机理
O’-Sialon-BN 侵蚀机理 热力学 动力学
2007/10/26
文章摘要：
研究了O’-Sialon-BN复合材料在钢液中侵蚀的热力学和动力学过程,结果表明, O’-Sialon-BN侵蚀的主要原因是钢液中的[Mn]与试样晶粒间少量玻璃相中的SiO$_{2}$发生化学反应生成MnO-SiO2-Al2O3低熔点渣相并溶解; 同时,钢液中的[O]与试样中的O’-Sialon反应生成SiO2和Al2O3,产物SiO2又被钢液侵...
B4C与NH4Cl生成BN反应的研究
碳化硼 氯化铵 反应 氮化硼
2007/10/26
文章摘要：
研究了B4C、NH4Cl和Li3N在不同条件下的反应, 分析了Li3N及H2、N2、NH3等气体在上述反应中的作用. 结果表明, 在N2气氛及1223K温度下, B4C与Li3N反应不生成hBN;B4C与NH4Cl反应只生成少量hBN; 而B4C、NH4Cl、Li3N共同反应有大量hBN生成.说明在高温高压下合成cBN的常用催化剂Li3N, 在常...
期刊信息
篇名
Catalytic effect on growth of BN nanotubes syntesized by laser ablation
语种
英文
撰写或编译
作者
G.W.Zhou, Z.Zhang, Z.G.Bai, and D.P.Yu
第一作者单位
刊物名称
Solid State Communications
页面
1998,VOl.109,555
出版日期
19...
期刊信息
篇名
“Amorphous boron nanoparticles and BN encapsulating boron nanocapsules prepared by arc-decomposing diborane and nitriding”,
语种
英文
撰写或编译
作者
P.Z. Si,M. Zhang,C.Y. You,D.Y. Geng,J.H. Du,X.G. Zhao...
期刊信息
篇名
Room Temp Synthesis of C-BN Films by Pulse High Eueigy Density Plasma
语种
英文
撰写或编译
撰写
作者
闫鹏勋,杨思泽
第一作者单位
中国科学院物理研究所
刊物名称
J of Crystal Growth
页面
1995,148,232
出版日期
1995年
6月
日
文章标识(ISSN)
相关项目
高能量密度...
期刊信息
篇名
Pulsed Plasma Deposition c-BN Thin Films on Silicon Substrate
语种
英文
撰写或编译
撰写
作者
闫鹏勋,杨思泽
第一作者单位
中国科学院物理研究所
刊物名称
Phys. Stat. Sol.
页面
1994.145.K29
出版日期
1994年
4月
日
文章标识(ISSN)
相关项目
高能量密度等离子体法制备立方氮化...
Study on the phase diagram of the Ti–B–N system and the interfacial reaction of the Ti/BN joints
2007/7/28
期刊信息
篇名
Study on the phase diagram of the Ti–B–N system and the interfacial reaction of the Ti/BN joints
语种
英文
撰写或编译
撰写
作者
Xiaoyan,Ma,Changrong Li*,Weijing Zhang
第一作者单位
University of Science and Techn...
BN纳米管内含C纳米管——结构与电学性质
C(6,0)@BN(16,0) 稳定性 电子结构 能隙
2010/2/22
运用密度泛函理论的PW91/DNP方法对C(6,0)@BN(n,0)体系的结构与稳定性进行了研究, 发现最适合与C(6,0)纳米管形成的嵌套体系的锯齿型BN纳米管是BN(15,0)和BN(16,0), 在形成的C(6,0)@BN(15,0) 和 C(6,0)@BN(16,0)中, 碳壁与氮化硼壁之间的距离分别为0.36和0.40 nm. 在最稳定的C(6,0)@BN(16,0)体系中, 发现内层碳...
氨化Si基Ga2O3/BN薄膜制备GaN纳米线
磁控溅射 氮化镓纳米线 光致发光
2013/10/22
利用射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备Ga2O3/BN薄膜, 然后在氨气中退火合成了大量的一维GaN纳米线. X射线衍射、选区电子衍射和傅立叶红外吸收光谱的分析结果表明, 制备的GaN纳米线为六方纤锌矿结构. 利用扫描电子显微镜和高分辨透射电子显微镜观察发现, 纳米线具有十分光滑且干净的表面, 其直径为40~160 nm左右, 典型的纳米线长达几十微米. 室温下以300 nm波长的光激发样...
硼吖嗪聚合物先驱体热解制备BN基复合材料
硼吖嗪聚合物 先驱体 热解 纤维增强BN基复合材料
2013/10/15
综述了硼吖嗪聚合物先驱体热解法制备陶瓷基复合材料的研究进展,提出几种合成硼吖嗪单体的方法,并着重讨论了纤维增强BN基复合材料的实验原理,制备过程及其性能。