搜索结果: 46-60 共查到“知识库 半导体物理学”相关记录145条 . 查询时间(0.921 秒)
Capacitance-voltage profiling techniques for characterization of semiconductor materials and devices
Capacitance-voltage profiling techniques characterization of semiconductor materials devices
2010/11/23
This work re-defines the well-known C-V (capacitance-voltage)measurement technique, in the view of a new physics formula,discovered in 2006 [1].
Existence condition and range of Dirac points in deformed graphene
Existence condition range of Dirac points deformed graphene
2010/11/23
Owing to some anisotropic deformations, hopping energies t1,2,3 of graphene will be changed,
and their corresponding Dirac points can be shifted or even annihilated.
Landau Level Physics in a Quantum Well: new singular features in Magnetization and violations of de Haas - van Alphen periodicities
Landau Level Physics Quantum Well new singular features Magnetization
2010/10/21
Analytical calculations based on a Landau Level (LL) picture are reported for an interface (with a finite-width Quantum Well (QW)) and for a fully three-dimensional charged quantum electronic system i...
Comparison of some theoretical models for fittings of the temperature dependence of the fundamental energy gap in GaAs
Non-linear behavior of Eg(T) Zero-point energy Temperature dependence of the gap Gallium arsenide
2010/6/30
In this work we report on a comparison of some theoretical models usually used to fit the dependence on temperature of the fundamental energy gap of semiconductor materials. We used in our investigati...
Adiabaticity Conditions for Volatility Smile in Black-Scholes Pricing Model
Volatility smile Black-Sholes model no-arbitrage conditions
2010/4/27
Our derivation of the distribution function for future returns is based on the risk neutral approach which gives a functional dependence for the European call (put) option price, C(K), given the strik...
利用电容测量技术,基于Mott-Sckottky分析,研究了在0.5 mol•L－1 H2SO4溶液中铬表面氧化膜的半导体性质,以及膜形成条件的影响.结果表明,铬在钝化电位区内所形成的表面氧化膜具有p-型半导体特性,膜的厚度约(1.2±0.3) nm.膜的阻抗响应表现出低频弥散行为,可以用介电弛豫普适定律来描述.膜的掺杂浓度NA随成膜电位及极化时间的延长而增大,溶液pH值则通过改变膜的...
带电粒子的参数X射线辐射及弯晶系统的稳定性
参数X射线辐射 相平面 弯晶 摆方程 Jacobian椭圆函数
2009/11/18
寻找新光源， 特别是企图利用PXR作为激光光源引起了人们广泛关注。 要成功获得相干（衍射）的PXR光源， 粒子的运动必须是稳定的。 但是由于晶体弯曲，系统可能变得不稳定， 从而对PXR的反射、 衍射、 聚焦和谱分布均会产生直接影响。 在经典力学框架内和偶极近似下， 引入正弦平方势， 把粒子在弯晶中的运动方程化为具有常数力矩的摆方程。 利用Jacobian椭圆函数和椭圆积分分析了系统的相平面特征。...
用化学方法将３种复合份菁化学键合于单晶硅表面，并用激光拉曼光谱和Ｘ－光电子能谱进行了表征。暗的和光照的伏安特性测量表明键合染料的ｎ－Ｓｉ表面具有光生伏特效应，证实了ｎ－Ｓｉ－侧存在于电子势垒。
Resonant Light Absorption by Semiconductor Quantum Dots
Light Absorption quantum wells Semiconductor Quantum Dots
2009/9/4
The cross-section of light absorption by size-quantized semiconductor quantum dots (QD) is calculated in the case of a resonance with an exciton Γ6×Γ7 in cubical crystals of Td class. The interference...
A study of radiation effects of 9 and 12MeV protons on Chinese CMOS image sensor degradation
semiconductor technology CMOS image sensor proton irradiation average brightness TRIM simulation
2009/8/17
The 9 and 12MeV proton irradiations of the Chinese CMOS Image Sensor in the fluence range from 1×109 to 4×10×10cm－2 and 1×109 to 2×1012cm－2 have been carried out respectively. The color pictures and...
12C离子与各种靶核相互作用的裂变激发函数
裂变激发函数 靶核 12C离子
2009/8/13
本工作采用金硅面垒型半导体探测器和固体径迹探测器测量了57.0—73.0MeV 12C+169Tm, 175Lu, 181Ta, W, Re, Pt, 197Au, Pb和209Bi裂变反应碎片角分布和裂变激发函数. 由相当于全动量转移的裂变事件的碎片角分布统计理论直接确定了全熔合反应截面σfu, 从而获得了作为激发能函数的<Γf/Γn>实验值. 与理论计算符合得到裂变位垒高度, 标准偏差为2.5...
半导体开关在脉冲功率技术中的应用
半导体开关 全固态 脉冲功率
2009/8/13
国内外脉冲功率技术的一个重要的发展趋势, 即高功率、长脉冲、高重频以及小型化, 由此以半导体器件为基础的全固态脉冲功率技术得到了广泛的关注和应用; 文章以晶闸管(SCR)、绝缘门双极晶体管(IGBT)以及半导体断路开关(SOS)的应用为例进行了说明; 对用晶闸管控制的充电系统、IGBT应用于Marx发生器和脉冲变压器驱动源以及半导体断路开关的应用做了较为详细的原理性说明, 并给出了一些实验结果. ...
DDAB修饰纳米氧化锌的合成及XANES研究
纳米材料 氧化锌 DDAB 反胶束法
2009/7/31
胶束法中所需要的水是由含水的锌盐直接提供,在有机溶剂中直接形成了微反应池.TEM(透射电子显微镜)照片证实了氧化锌的尺寸为纳米级,其粒径可由锌盐和DDAB的使用量之比来控制.并用基于北京同步辐射的X射线吸收近边结构谱来研究纳米材料的表面结构重组和畸变性质等.
在相对论无规位相近似中,有两种顾及负能态贡献的方法.一种是由Dawson和Furnstahl(DF)提出的计算方案.他们假定Dirac海是空的.另外一种就是Dirac空穴理论,它认为负能海的全充满的.这两种方法在顾及负能态贡献上看似完全对立.文章中考察了这两种方法的关系,并给出了DF方法的适用范围.