搜索结果: 1-15 共查到“知识要闻 集成电路技术”相关记录430条 . 查询时间(2.875 秒)
为加快培育半导体及集成电路战略性新兴产业集群，促进产业迈向全球价值链高端，2024年10月17-18日，在广州市科学技术局、广州科技创新创业大赛组委会指导下，由广州金融发展服务中心主办，广州市半导体协会和大湾区科技创新服务中心联合主办的第十三届中国创新创业大赛（广东·广州赛区）暨2024年广州科技创新创业大赛半导体与集成电路行业赛在广州顺利举行，本次行业赛也得到了中国工商银行广州科技支行、广发证券...
近日，依托建设在高新区天开华苑园的天津国家芯火双创基地（平台）顺利通过GB/T 19001-2016/ISO 9001:2015质量管理体系认证，获得认证证书（证书编号：ZM034124Q13321R0S）。本次认证通过范围：集成电路的设计生产，产教融合服务。
集成电路静电保护的要求、设计与优化培训顺利开展（图）
集成电路 静电保护 刘俊杰
2024/10/25
2024年9月5日-6日，由国家集成电路设计深圳产业化基地与芯动力人才计划联合举办的第139期国际名家讲堂圆满落幕。本次讲堂以“集成电路静电保护的要求、设计与优化”为主题，汇聚了80余位来自各地的集成电路领域精英，共同探讨行业前沿技术。
Power IC Technology培训通知
Power IC Technology 培训通知 芯片设计 集成电路
2024/10/25
为提高深圳集成电路设计水平，增加企业研发人员与世界一流专家学习和对话的机会，国家集成电路设计深圳产业化基地将与工业和信息化部人才交流中心芯动力人才计划联合举办Power IC Technology培训。本次培训特邀加加拿大多伦多大学教授、多伦多纳米制造中心主任Wai Tung Ng吴伟东教授作为讲师。
中国科学院半导体所在垂直自旋器件的全电写入关键技术方面取得进展（图）
器件 集成
2024/11/7
同时利用“电荷”、“自旋”和“轨道”三大自由度的自旋存算器件是超越摩尔信息技术的重要选项。垂直磁化自旋比特具有10纳米以下尺寸保持良好热稳定性的潜在优势，但面临如何实现高能效全电写入的关键技术难题。传统材料（如自旋霍尔效应材料等）由于对称性保护只能产生面内横向极化自旋，其角动量无法翻转垂直磁化比特。寻找垂直有效磁场和垂直极化自旋的有效产生方法成为2024年来的科技前沿热点。
上海微系统所“柔性单晶硅太阳电池技术”入选“2023年光伏领域重大科技进展”（图）
柔性 太阳电池 集成电路
2024/8/28
2024年8月15-18日，第十九届中国可再生能源学会在陕西西安召开，光伏专委会发布了2024年太阳电池中国最高效率、2023年光伏领域重大科技进展，集成电路材料全国重点实验室纳米材料与器件实验室新能源技术中心课题组的“柔性单晶硅太阳电池技术”入选“2023年光伏领域重大科技进展”。
南方科技大学深港微电子学院林龙扬课题组在超低功耗和超低温集成电路设计领域取得新进展
林龙扬 超低功耗 超低温 集成电路
2024/10/24
近日，南方科技大学深港微电子学院林龙扬课题组分别在超低功耗集成电路设计和超低温集成电路设计取得新进展。相关成果：【论文1】“A 0.72nW, 0.006mm2 32kHz Crystal Oscillator with Adaptive Sub-Harmonic Pulse Injection from -40°C to 125°C in 22nm FDSOI”入选2024年VLSI Sympo...
中国科学院金属所等发明热发射极晶体管（图）
金属 晶体管 集成电路
2024/8/16
集成电路是现代信息技术的基石，而晶体管则是集成电路的基本单元。随着晶体管尺寸的不断缩小，其进一步发展的挑战日益增多。因此，探索具有新工作原理的晶体管，已成为提升集成电路性能的关键。传统晶体管主要依赖稳态载流子的传输，而热载流子晶体管则通过将载流子调制到高能态来提升器件的速度和功能，展现出突破现有晶体管技术限制的潜力。然而，过去的热载流子晶体管主要依靠隧穿注入和电场加速来生成热载流子，由于界面势垒的...
中国科学院沈阳分院金属所发明热发射极晶体管（图）
金属 晶体管 集成电路
2024/8/16
集成电路是现代信息技术的基石，而晶体管则是集成电路的基本单元。随着晶体管尺寸的不断缩小，其进一步发展的挑战日益增多。因此，探索具有新工作原理的晶体管，已成为提升集成电路性能的关键。传统晶体管主要依赖稳态载流子的传输，而热载流子晶体管则通过将载流子调制到高能态来提升器件的速度和功能，展现出突破现有晶体管技术限制的潜力。然而，过去的热载流子晶体管主要依靠隧穿注入和电场加速来生成热载流子，由于界面势垒的...
国家自然科学基金委员会中国学者在n型有机半导体的稳定性研究中取得进展（图）
有机半导体 集成电路
2024/8/25
在国家自然科学基金项目（批准号：52225304、52121002、52073210、52073210）等资助下，天津大学理学院胡文平/李立强团队在n型有机半导体的稳定性研究中取得进展，相关研究成果以“利用维生素C提高n型有机半导体的性能和稳定性（Improving both performance and stability of n-type organic semiconductors by...
2024广东省集成电路产业发展高级研修班将于2024年9月开班！（图）
广东省 集成电路 高级研修班 武汉大学
2024/10/23
由广东省工业和信息化厅主办、广东省中小企业服务中心组织实施、武汉大学承办的集成电路产业发展高级研修班将于2024年9月1日-9月7日在武汉大学举办！培训学员50人，培训时间7天（含往返）。
中国科学院苏州纳米所张兴旺团队AM：二维半导体自旋-轨道锁定涡旋光源（图）
张兴旺 二维半导体 集成 光子器件
2024/8/13
在集成光子器件领域，二维半导体材料由于具有独特的激子发光特性、优异的机械性能、高导热率和载流子迁移率等，在可集成光源器件上展现出独特的优势。尤为重要的是单层二维半导体具有原子级的平整度且没有悬挂键，因此易于与其他材料以范德华力实现异质集成，有效地避免了晶格失配问题，为高集成度、高性能的光源器件设计提供了新平台。然而，当二维半导体材料的厚度降至原子级时，材料与光场的相互作用很弱，发光效率受限。另外精...
集成电路设计是根据终端市场的需求设计开发各类芯片产品，集成电路设计水平的高低决定了芯片的功能、性能及成本。从产业链各环节发展趋势来看，芯片设计是集成电路产业最具发展潜力的领域。
中国科学院微电子所在高性能锁相环芯片方面取得新进展（图）
高性能 集成电路
2024/8/11
2024年7月15日，2024 IEEE Symposium on VLSI Technology & Circuits在美国召开，微电子所抗辐照器件技术重点实验室李博研究员、杨尊松研究员团队在会上展示了高性能锁相环芯片的最新研究进展。
