搜索结果: 1-15 共查到“知识要闻 电子科学与技术”相关记录4939条 . 查询时间(3.515 秒)
中国科学院物理研究所单一手性密排碳纳米管阵列制备取得突破（图）
纳米 电子 器件
2025/3/26
碳纳米管于1991年首次被实验发现，其电子迁移率远超硅，被视为未来电子器件的理想沟道材料之一，有望推动下一代计算机芯片的革新。在实际芯片应用中，需要将大量结构完全相同的半导体性碳纳米管以高度有序的方式排列在一起，以提高器件的一致性和性能。然而，直接生长的碳纳米管手性结构随机、金属性和半导体性混杂、排列混乱，严重制约了碳纳米管在集成电路中的应用。诺贝尔奖得主Richard E. Smalley教授曾...
中国科学院上海硅酸盐所在单一铁电陶瓷片表面开发出全光控五态逻辑门器件（图）
硅酸盐 陶瓷 器件
2025/3/25
多功能一体化的光电逻辑门（OLEGs）可以快速实现信息处理和传输，在通讯技术、人工智能和计算系统等领域具有显著的潜力。具有差异性光电响应的光电探测器是OLEGs中的重要组成部分。传统的半导体光电探测器通常需要构建异质结构或结合多种光-电输入形式才能实现差异化光电响应，增加了器件设计的复杂性。铁电材料是一种具有自发极化并且自发极化可随外电场重新取向的功能材料，光场作用下具有反常光伏效应和光致热释电效...
近期，中国科学院合肥物质院固体物理所孟国文、韩方明团队与美国特拉华大学魏秉庆教授合作，在Science China Technological Sciences发表论文，首次提出基于“Y”分枝多级孔结构的三维互连碳管网格膜电极，将滤波超级电容器的面积比电容进一步提升至3.6 mF cm-2（120 Hz），为小型滤波电容器的电极设计提供了新方案。
中国科学院化学研究所于萍课题组在离子选择性忆阻器研究方面取得新进展（图）
于萍 离子 电路 元件
2025/3/26
忆阻器（Memristor）是一种具有记忆功能的非线性电阻器，继电阻、电容和电感之后的第四种基本电路元件，1971年从理论上预言，并在2008年首次实现。忆阻器作为一种仿神经器件，在类脑计算、脑机接口等领域具有巨大潜力。
中国科学院上海微系统所在石墨烯基芯片散热领域取得进展（图）
集成电路 材料 气体
2025/3/5
随着集成电路功率密度的不断增加，散热问题已成为制约芯片性能、稳定性和寿命的瓶颈。石墨烯因其优异的导热性能（单层石墨烯热导率高达5300 W·m⁻1·K⁻1）被认为是理想的热管理材料，由石墨烯片组装而成的石墨烯膜已在5G通讯终端中获得广泛应用。然而，随着芯片性能的不断提升，现有石墨烯膜已无法满足实际应用对热流承载能力的要求。石墨烯膜的热流承载能力由其热导率和厚度共同决定，如何...
中国科学院有机自旋电子器件磁响应信号调控研究获进展（图）
有机 电子 器件 信号
2025/2/22
2025年2月20日，中国科学院国家纳米科学中心研究员孙向南团队在有机自旋电子学研究方面取得进展。该团队基于电光补偿策略，实现了室温下有机自旋电子学器件磁响应信号的宽范围调控以及器件的多功能性应用。相关研究成果以Room-Temperature Organic Spintronic Devices with Wide Range Magnetocurrent Tuning and Multifun...
中国科学院上海微系统所成功研制无人机载超导单光子探测系统（图）
超导 光子 探测系统
2025/3/5
上海微系统所超导电子实验室尤立星、李浩、张孝富团队通过超薄超导薄膜材料优化、自主微型低温杜瓦研制，成功实现了基于商用无人机平台的高探测效率超导单光子探测系统。该研究成果于2025年2月13日以“Drone-based superconducting nanowire single-photon detection system with a detection efficiency of more...
国家自然科学基金委员会中国学者在高质量二维半导体材料生长方面取得进展（图）
半导体材料 晶体 集成电路
2025/2/23
在国家自然科学基金项目（批准号：52225206、51991340）等资助下，北京科技大学张跃院士和张铮教授团队在二维单晶材料规模化生长方面取得进展。相关研究成果以“二维柴可拉斯基法生长单晶二硫化钼（Two-dimensional Czochralski growth of single-crystal MoS₂）”为题，于2025年1月10以封面文章的形式发表于《自然·材料》（Nat...
国家自然科学基金委员会中国学者在高迁移率白色有机偏振发光半导体研究中取得进展（图）
有机 半导体 器件
2025/2/23
在国家自然科学基金项目（批准号：52233010、52403342、52121002、U21A6002）等资助支持下，中国科学院化学研究所董焕丽研究员课题组与天津大学胡文平教授课题组合作在高迁移率白色有机偏振发光半导体材料研究方面取得新进展，相关研究成果以“本征白色有机偏振发光半导体（Intrinsically white organic polarized emissive semiconduc...
国科学院上海光机所在n型β-Ga2O3单晶光电性能调控方面取得进展（图）
光电性能 激光 元件
2025/3/5
2025年2月12日，中国科学院上海光学精密机械研究所先进激光与光电功能材料部研究团队联合高功率激光元件技术与工程部研究团队在n型β-Ga2O3单晶光电性能调控方面取得进展，相关成果以“Tungsten donors doping in β-gallium oxide single crystal”为题发表于Applied Physics Letters。
中国科学院理化所在可拉伸蓝相液晶弹性体激光器研究方面取得新进展（图）
弹性 激光器 电子 器件
2025/2/26
蓝相液晶（BPLC）是以双扭柱结构为基本组装单元形成的三维手性周期结构，展示了窄带隙、圆偏振性及可调谐性等独特而优异的光学性能，因而在超快响应显示器、可调谐激光器等先进光学器件领域展现出非凡的潜力。蓝相液晶弹性体（BPLCE）能有机结合BPLC的优异光学性能及弹性体的优良机械柔韧性，为柔性光电子器件发展提供了创新应用。特别是基于BPLCE的机械可调激光器，为柔性显示和信息传输提供了新的应用前景。然...
自组装单分子层（SAM）作为空穴传输层在高效率钙钛矿太阳能电池中得到广泛应用，通过自组装单分子层技术可显著提升钙钛矿太阳能电池性能和稳定性。然而，SAM在基底上的覆盖程度和分布不均匀限制了器件性能的进一步提升。
中国科学院微电子所在高性能GAA器件方面取得新进展（图）
电子 高性能 器件
2025/3/2
全环绕栅（GAA）器件具有极佳的栅控特性、更高的驱动性能以及更多的电路设计灵活性，是主流集成电路制造继FinFET之后的核心晶体管结构。目前，三星电子（Samsung）、台积电（Intel）与因特尔（TSMC）已经或者即将在3纳米及以下技术节点采用该器件进行工艺量产。但其被内侧墙隔开的堆叠纳米片沟道会导致非连续源漏选择外延进而产生大量缺陷，引起源漏应变减弱与驱动电流退化，造成较严重的源漏寄生电阻效...
中国科学院物理研究所中规模二维柔性集成电路（图）
二维 柔性 集成电路
2025/2/26
柔性电子技术是一项跨学科融合的颠覆性科学技术，突破了传统硅基电子器件的固有局限，为后摩尔时代的器件设计与集成、能源革命、医疗技术变革、人机交互等领域提供了创新驱动，将强有力地支撑未来智慧生活的实现。特别是多功能柔性集成电路的发展，为人与物体及环境之间的信息处理、交互以及深度融合奠定了坚实基础，加速了万物互联（IoE）时代的到来。然而，现阶段基于有机半导体、氧化铟镓锌、碳纳米管以及非晶硅/多晶硅等材...
2025年1月22日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所欧欣研究团队与美国科罗拉多大学Gabriel Santamaria Botello教授、瑞士洛桑联邦理工学院Tobias J. Kippenberg教授团队合作，在基于绝缘体上钽酸锂单晶薄膜的电光频率梳芯片研究上再次取得了重要研究进展。相关工作 “Ultrabroadband integrated electro-optic frequen...