搜索结果: 1-15 共查到“知识要闻 半导体技术”相关记录1116条 . 查询时间(1.449 秒)
中国科学院微电子所在新型氧化物薄膜晶体管研究方面取得进展（图）
薄膜 晶体 半导体材料
2024/8/11
氧化物随即存储器因其较长的保持时间和有利于三维堆叠的优点，成为国际学术和产业界的关注点，其中In2O3-基薄膜晶体管由于其高迁移率而备受关注。In2O3中氧的不稳定性直接影响到器件的可靠性，为克服这一问题，传统的Ga或Zn掺杂需要较高的掺杂浓度，在提升器件可靠性的同时减低了迁移率。因此，需要提出更新的氧化物半导体材料体系，突破In2O3-基薄膜晶体管的迁移率和可靠性制约问题。
2024年7月24日，哈尔滨工程大学计算机科学与技术学院举行了智汇论坛第二十三期活动，本次活动邀请伦敦大学国王学院胡义华教授讲授“面向人工智能支持的电力电子模块智能制造应用”专题讲座。
中国科学院半导体所在氮化物位错演化机制及光电神经网络器件研究领域取得新进展（图）
演化 光电 神经网络 器件
2024/8/11
III-族氮化物多采用蓝宝石衬底异质外延生长，由于大的晶格失配和热失配，导致高密度穿透位错（108-1010），极大地影响氮化物发光器件、电子电力器件性能。中国科学院半导体研究所刘志强研究员团队长期聚焦氮化物生长界面研究并形成系列研究成果，明确了原子尺度氮化物/蓝宝石生长界面构型（Small 2022, 18, 2200057），阐明了原子尺度界面应力释放机制（Nano Letters...
中国科学院半导体所等在砷化镓（GaAs）中产生自旋极化研究方面取得进展（图）
半导体材料 电子器件
2024/8/11
如何在半导体材料体系中产生自旋极化是半导体自旋电子学领域的关键科学问题，受到科研人员的广泛关注。常规方法是在磁性金属/半导体异质结中，通过自旋极化电流在半导体中注入净自旋。若能在非磁性半导体材料体系中产生自旋极化，将能有效避免磁性金属/半导体异质结中碰到的电导失配等难题，从而为相关自旋电子学效应的研究提供更多丰富选择。
近二十年来，聚合物半导体在有机光电器件中的应用方面取得了显著进展。但是，将聚合物半导体的可溶液加工、柔性这些独特性质应用在集成电路里仍面临困难，比如材料溶解度、结晶性、迁移率和图案化等多种功能对聚合物半导体聚集态形貌的需求不一致，使得通过分子设计实现多种功能的融合极具挑战性。
中国科学院微电子所在高性能锁相环芯片方面取得新进展（图）
高性能 集成电路
2024/8/11
2024年7月15日，2024 IEEE Symposium on VLSI Technology & Circuits在美国召开，微电子所抗辐照器件技术重点实验室李博研究员、杨尊松研究员团队在会上展示了高性能锁相环芯片的最新研究进展。
中国科学院半导体所在可调谐MEMS-VCSEL研究方面取得进展（图）
智能 激光 集成
2024/8/11
波长连续调谐（扫频）垂直腔面发射激光器（VCSEL）在光学相干层析成像（OCT）、调频连续波（FMCW）激光雷达、智能制造等领域有重要应用。在这些应用中，对可调谐VCSEL进行功率监测至关重要。此外，VCSEL具有单纵模、低功耗、易于二维阵列集成等优点，是垂直集成光子系统的理想光源。在未来用于人工智能和传感等领域的三维垂直集成光子系统中，具有宽带波长调谐和集成功率监测功能的VCSEL是关键器件。
近日，合肥工业大学微电子学院先进能源材料与器件实验室在无机硒硫化锑半导体薄膜及光伏器件制备方面取得重要进展，提出了一种Se元素浓度梯度调控策略来制备高质量Sb2(S,Se)3半导体薄膜及高效太阳能电池器件。相关研究成果以“Se-Elemental Concentration Gradient Regulation for Efficient Sb2(S,Se)3 Solar Cells with ...
近日，第61届IEEE和ACM设计自动化大会（Design Automation Conference, DAC）在美国旧金山如期举办，会议隆重揭晓了本年度系统设计竞赛（System Design Contest, SDC）赛事结果。东南大学SEUer学生团队在DAC-SDC竞赛中名列榜首，第三次以“东大人”的身份荣获全球第一，成为该项赛事FPGA赛道有史以来唯一的“三连冠”得主。
中国科学院微电子所在高吞吐率SRAM存内计算处理器芯片领域取得进展（图）
计算 电路 电子
2024/8/11
目前，ChatGPT等大型AI算法的出现对计算设备性能提出了更高要求。存内计算（CIM）有效缓解了传统冯诺依曼架构中的内存墙问题。尽管无法完全解决存储墙问题，但CIM架构通过定制化设计方法将存储单元和计算电路结合在一起，本质上提高了操作数的传输带宽，大大降低了这部分数据的传输代价。近年来，许多具有高计算能效的数字CIM架构处理器的工作被提出。这些工作通过定制化设计数据路径控制微架构和稀疏优化微架构...
中国科学院微电子所在存内计算处理器上取得进展（图）
计算 系统应用 电子'集成电路
2024/8/11
存内计算(CIM）芯片相比传统冯诺依曼架构芯片在宏单元层级实现了高能效，但系统层级的复杂周边电路使得系统能效仍然受限，系统/宏单元能效比通常低40%，使其在面向神经网络和推荐系统应用领域仍然存在一些挑战。此外，对存储主导（例如推荐系统的嵌入层）的操作，需要大量的片外访问，由于嵌入表不能被完全存储到片上，即使采用内容可寻址存储器（CAM），仍会导致大量的片外访问和较高的片上CAM搜索功耗。
2024年7月5日，中国科学院微电子所高频高压中心GaN功率电子器件研发团队的2篇论文入选第36届功率半导体器件和集成电路国际会议（ISPSD），其中戴心玥博士的口头报告“An Enhancement-mode AlGaN/GaN HEMT withIsland-Ohmic p-GaN featuring stable thresholdvoltage and large gate swing”荣...
苏州纳米所梁伟团队在超窄线宽外腔倍频可见光半导体激光研发领域取得新进展（图）
梁伟 半导体激光 集成
2024/7/20
单频窄线宽可见光及近可见光半导体激光源是光学原子钟、相干光通信与传感、集成光频梳、汽车导航系统和高分辨率光谱学等领域的核心光学器件。为满足低成本和小型化需求，去年国外学者提出了将分布式反馈(DFB)激光自注入锁定(SIL)技术与微环外腔谐振倍频(SHG)技术相结合的新方案。但是，微环腔相对低的品质因子(Q)不利于压窄线宽，为高效倍频采取的双谐振设计难以实现连续调频，且已知最高的SIL-SHG输出功...
“芯”路同行，集创未来|浙江大学第四届微纳学术节圆满落幕（图）
浙江大学 第四届 微纳 集成电路
2024/8/7
2024年6月20日-6月22日，浙江大学第四届微纳学术节在集成电路学院成功举办。本次盛会汇聚了来自全国22所高校的微电子、集成电路等专业的青年学子，共同探索微纳科技的前沿奥秘，展望集成电路学科发展的崭“芯”征途和璀璨未来。
海军工程大学兵器工程学院一行来合肥工业大学微电子学院调研交流（图）
兵器工程 海军
2024/8/1
海军工程大学兵器工程学院为加强与我院的交流合作，同时进行研究生招生宣传，于2024年6月18日下午来我院调研访问，并就深化教学与科研合作进行了座谈交流。海军工程大学兵器工程学院来访团队包括大校政治委员何坤，上校教授王哲，上校大队长彭治，以及助理研究员尚晓东。微电子学院党委书记刘梅、副院长黄正峰，集成电路系主任尹勇生，副主任杜高明、党支部书记王晓蕾以及创新中心副主任李桢旻参加了座谈。