搜索结果: 1-15 共查到“知识要闻 电子科学与技术”相关记录4644条 . 查询时间(1.984 秒)
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中国科学院二维拓扑绝缘体研究获进展(图)
二维拓扑 绝缘体 电子器件
2024/8/21
拓扑绝缘体在表面或边界处的电子态可以形成无能量耗散的导电通道,在低功耗电子器件领域具有潜在的应用价值。在二维拓扑绝缘体中,其受保护的拓扑边缘态将在边界处形成一维的自旋极化电子通道,从而实现量子自旋霍尔效应。
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国家自然科学基金委员会中国学者在长效稳定钙钛矿太阳能组件研究方面取得进展(图)
钙钛矿太阳能 电池 器件
2024/8/25
在国家自然科学基金项目(批准号:T2293691、12204234、22305119)等资助下,南京航空航天大学郭万林教授团队提供了一种面向大面积钙钛矿太阳能模组的气相氟化处理方法,显著提升了钙钛矿电池的效率和稳定性(图)。相关研究成果以“气相氟化处理实现运行稳定的钙钛矿太阳能模组(Operationally stable perovskite solar modules enabled by v...
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中国科学院金属所等发明热发射极晶体管(图)
金属 晶体管 集成电路
2024/8/16
集成电路是现代信息技术的基石,而晶体管则是集成电路的基本单元。随着晶体管尺寸的不断缩小,其进一步发展的挑战日益增多。因此,探索具有新工作原理的晶体管,已成为提升集成电路性能的关键。传统晶体管主要依赖稳态载流子的传输,而热载流子晶体管则通过将载流子调制到高能态来提升器件的速度和功能,展现出突破现有晶体管技术限制的潜力。然而,过去的热载流子晶体管主要依靠隧穿注入和电场加速来生成热载流子,由于界面势垒的...
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中国科学院沈阳分院金属所发明热发射极晶体管(图)
金属 晶体管 集成电路
2024/8/16
集成电路是现代信息技术的基石,而晶体管则是集成电路的基本单元。随着晶体管尺寸的不断缩小,其进一步发展的挑战日益增多。因此,探索具有新工作原理的晶体管,已成为提升集成电路性能的关键。传统晶体管主要依赖稳态载流子的传输,而热载流子晶体管则通过将载流子调制到高能态来提升器件的速度和功能,展现出突破现有晶体管技术限制的潜力。然而,过去的热载流子晶体管主要依靠隧穿注入和电场加速来生成热载流子,由于界面势垒的...
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国家自然科学基金委员会中国学者在n型有机半导体的稳定性研究中取得进展(图)
有机半导体 集成电路
2024/8/25
在国家自然科学基金项目(批准号:52225304、52121002、52073210、52073210)等资助下,天津大学理学院胡文平/李立强团队在n型有机半导体的稳定性研究中取得进展,相关研究成果以“利用维生素C提高n型有机半导体的性能和稳定性(Improving both performance and stability of n-type organic semiconductors by...
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所(以下简称上海微系统所)狄增峰研究员团队在面向低功耗二维集成电路的单晶金属氧化物栅介质晶圆研制方面取得突破性进展。2024年8月7日,相关成果以《面向顶栅结构二维晶体管的单晶金属氧化物栅介质材料》(Single-crystalline metal-oxide dielectrics for top-gate 2D transistors)为题,发表于国际学术期刊...
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中国科学院苏州纳米所张兴旺团队:将光学超表面的厚度推向极限(图)
张兴旺 光学器件 二维半导体 激子
2024/8/13
紧凑、轻薄的光学系统对光学器件的厚度提出了更高的要求。2024年来,介质光学超表面由于可以在亚波长尺度下对光场进行操控,因此在轻薄光学器件中具有广泛的应用前景。然而受限于相位调控对厚度的要求,当前介质光学超表面的厚度通常限制在百纳米量级。为了打破相位调控对厚度的限制,2024年8月2日中国科学院苏州纳米所张兴旺团队的周嘉欣等人借助二维半导体激子效应产生的高折射率和导模谐振增强相位调控的原理,成功地...
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中国科学院苏州纳米所张兴旺团队AM:二维半导体自旋-轨道锁定涡旋光源(图)
张兴旺 二维半导体 集成 光子器件
2024/8/13
在集成光子器件领域,二维半导体材料由于具有独特的激子发光特性、优异的机械性能、高导热率和载流子迁移率等,在可集成光源器件上展现出独特的优势。尤为重要的是单层二维半导体具有原子级的平整度且没有悬挂键,因此易于与其他材料以范德华力实现异质集成,有效地避免了晶格失配问题,为高集成度、高性能的光源器件设计提供了新平台。然而,当二维半导体材料的厚度降至原子级时,材料与光场的相互作用很弱,发光效率受限。另外精...
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中国科学院青岛能源所开发均质化正极材料实现全固态锂电池新突破(图)
锂电池 活性材料 导电子
2024/8/7
采用不可燃无机固态电解质的全固态锂电池可以满足对高安全性储能系统日益增长的需求。全固态锂电池通常采用包含了电极活性材料、导电子和导离子助剂的复合电极。不同组分之间在化学、电化学和力学等性能上难以完美匹配从而诱发多种界面问题,严重恶化电池能量密度和使用寿命。
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中国科学院微电子所在新型氧化物薄膜晶体管研究方面取得进展(图)
薄膜 晶体 半导体材料
2024/8/11
氧化物随即存储器因其较长的保持时间和有利于三维堆叠的优点,成为国际学术和产业界的关注点,其中In2O3-基薄膜晶体管由于其高迁移率而备受关注。In2O3中氧的不稳定性直接影响到器件的可靠性,为克服这一问题,传统的Ga或Zn掺杂需要较高的掺杂浓度,在提升器件可靠性的同时减低了迁移率。因此,需要提出更新的氧化物半导体材料体系,突破In2O3-基薄膜晶体管的迁移率和可靠性制约问题。
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异质结构作为先进半导体器件的基本构建模块,因其独特的结构、界面和电子特性而备受关注。有机分子/二维材料异质结因其原子级洁净界面结构和特殊电子态特性,在二维半导体材料与器件中具有广泛的应用前景。2024年7月26日有机分子薄膜被发现可调控并大幅提高二维半导体材料性能(Nat. Mater. 2023,22, 1078)。分子调控二维半导体材料和器件的微观机制还有待进一步研究。...
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中国科学院半导体所在氮化物位错演化机制及光电神经网络器件研究领域取得新进展(图)
演化 光电 神经网络 器件
2024/8/11
III-族氮化物多采用蓝宝石衬底异质外延生长,由于大的晶格失配和热失配,导致高密度穿透位错(108-1010),极大地影响氮化物发光器件、电子电力器件性能。中国科学院半导体研究所刘志强研究员团队长期聚焦氮化物生长界面研究并形成系列研究成果,明确了原子尺度氮化物/蓝宝石生长界面构型(Small 2022, 18, 2200057),阐明了原子尺度界面应力释放机制(Nano Letters...
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所在三维相变存储器电路设计研究取得系列进展(图)
三维相变 电路 模型
2024/8/20
2024年7月18日,中国科学院上海微系统与信息技术研究所宋志棠、雷宇研究团队,在三维相变存储器(3D PCM)亚阈值读取电路、高可靠编程电路、模型方面取得了系列进展,成果发表在国际学术期刊IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers等。
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中国科学院半导体所等在砷化镓(GaAs)中产生自旋极化研究方面取得进展(图)
半导体材料 电子器件
2024/8/11
如何在半导体材料体系中产生自旋极化是半导体自旋电子学领域的关键科学问题,受到科研人员的广泛关注。常规方法是在磁性金属/半导体异质结中,通过自旋极化电流在半导体中注入净自旋。若能在非磁性半导体材料体系中产生自旋极化,将能有效避免磁性金属/半导体异质结中碰到的电导失配等难题,从而为相关自旋电子学效应的研究提供更多丰富选择。