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搜索结果: 61-75 共查到知识要闻 半导体材料相关记录228条 . 查询时间(4.022 秒)
近日,南方科技大学深港微电子学院汪飞课题组在新型驻极体加工工艺及微型能量采集器领域取得最新进展。针对传统驻极体材料,在高温及高湿度环境下电荷稳定性不佳的问题,研究团队提出了一种喷涂的方法,用于沉积驻极体材料提升它在高温及高湿度恶劣环境下的电荷充电能力及稳定性,并成功在MEMS静电能量采集器上得到了应用。该文章于2021年2月9日以标题” Spray-coated electret material...
近日,南京大学联合韩国基础研究院、荷兰AMOLF研究所与南京理工大学等单位,揭示了纳米尺度下的金属掺杂自抑制效应,并基于此效应实现了高纯度的纳米硅材料的制备。
近日,省政府发布《关于2020年度江苏省科学技术奖励的决定》,中国科学院院士、南京大学电子科学与工程学院教授郑有炓荣获“2020年度江苏省科学技术突出贡献奖”。我校兼职教授、中国工程院院士、中国电子科技集团公司第十四研究所教授贲德也获此殊荣。
近日,南方科技大学物理系讲席教授何佳清团队在热电半导体材料的热输运机理方面取得重要进展,相关研究成果以“First-Principles Study of Anharmonic Lattice Dynamics in Low Thermal Conductivity AgCrSe2: Evidence for a Large Resonant Four-Phonon Scattering”为题在《...
最近,中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家研究中心罗毅教授、张群教授、江俊教授研究团队在基于金属氧化物半导体材料的等离激元学研究方面取得突破性进展,采用新发展的电子-质子协同掺氢策略,实现了类金属的超高自由载流子浓度,从而获得强且可调的等离激元效应。研究成果以“Hydrogen-Doping-Induced Metal-Like Ultrahigh Free-Carrier Concentrat...
在国家自然科学基金委、科技部和中国科学院的支持下,中国科学院光化学重点实验室赵永生课题组近年来一直致力于有机固态激光器的理论研究(Acc. Chem. Res. 2016, 49, 1691-1700)和应用开发(Nat. Commun. 2019, 10, 870)。针对有机光学增益材料载流子迁移率不平衡带来的极化子损耗问题,他们构筑了具有平衡双极传输特性的电荷转移复合物增益介质,首次实现了这类...
半导体材料是信息社会的基石,如用于信息处理的集成电路、用于信息获取的微纳传感器。作为新兴的第三代半导体材料,与第一代的硅材料、第二代的砷化镓材料相比,氮化镓材料具有优异的光电特性和化学稳定性(耐高温耐腐蚀),被广泛应用于功率晶体管和LED照明等领域。但是,氮化镓不具备化学活性,这限制了其在化学传感器领域的应用。此外,与集成电路产业相比,微纳传感器(尤其是化学量传感器)的发展水平远远滞后,是物联网和...
III族氮化物半导体是继第一代Si、Ge元素半导体和第二代GaAs、InP化合物半导体之后的第三代半导体,通常又被称为宽禁带半导体。其为直接带隙材料,禁带宽度在0.7 eV (InN)至6.2 eV (AlN)之间连续可调,发光波长覆盖了近红外、可见光到深紫外等波段;其还具有发光效率高、热导率大、化学稳定性好等优点,可用于制作半导体激光器。基于III族氮化物的半导体激光器在激光显示、激光照明、激光...
中科院合肥研究院安光所激光中心方晓东研究员、孟钢研究员团队以WO3纳米颗粒为研究对象,采用脉冲温度调制(PTM)测试模式,使半导体气体传感器对NO2、H2S和VOCs的灵敏度比传统恒温测试模式提升了1-2个数量级,接近或超过现有化学增敏WO3传感器的最高纪录。相关成果以“Generic approach to boost the sensitivity of metal oxide sensors...
近日,电子科技大学基础与前沿研究院王志明教授团队在国际期刊《Chemical Society Reviews》(IF=42.8)发表题为“Organic-based inverters: basic concepts,materials, novel architectures and applications”的长篇综述论文。基础与前沿研究院博士后Tim Leydecker为论文第一作者,基础与...
中国科学院长春应用化学研究所秦川江课题组和日本九州大学安达千波矢研究室组成的国际合作团队开发了一种基于新型低成本半导体材料-钙钛矿的激光器,突破了以往仅能在低温下连续稳定工作的瓶颈,率先实现了室温可连续激光输出的钙钛矿激光器,为该类器件的产业化应用奠定了坚实基础。激光器是将输入的光或电能量转换成光的器件。由于其发光高度均匀,被广泛应用于工业、医疗、信息、科研等领域。钙钛矿半导体材料具有可低成本溶液...
近日,我所超快时间分辨光谱与动力学研究组(1110组)金盛烨研究员团队在二维钙钛矿量子阱材料中载流子动力学研究工作中取得新进展,发现突破激子迁移极限的长距离载流子输运现象。二维(2D)有机无机杂化钙钛矿半导体量子阱材料是在三维(3D)钙钛矿晶格中插入长链有机卤化胺配体形成的。由于2D钙钛矿具有独特的性质,如柔性结构,大的激子结合能,易调谐带隙,以及显著提高的耐湿性,使得其在光电和量子器件应用领域得...
近日,西安交大材料学院单智伟教授团队与上海交通大学、中国科学院上海硅酸盐研究所等单位合作,在无机塑性半导体领域取得重大突破。该研究发现,二维结构范德华半导体InSe在单晶块体形态下具有超常规的塑性和巨大的变形能力,既拥有传统无机非金属半导体的优异物理性能,又可以像金属一样进行塑性变形和机械加工,在柔性和可变形热电能量转换、光电传感等领域有着广阔的应用前景。
近日,上海大学机电工程与自动化学院新型显示技术及应用集成教育部重点实验室杨绪勇教授课题组与香港城市大学Andrey L. Rogach教授合作在国际著名期刊《ACS Materials Letters》上在线发表论文“Lattice Distortion in Mixed-Anion Lead Halide Perovskite Nanorods Leads to their High Fluor...
近日,我所薄膜硅太阳电池研究组(DNL1606)刘生忠研究员团队与陕西师范大学刘渝城博士、徐卓博士、杨周博士等合作,基于近年在高质量大尺寸钙钛矿单晶生长的技术积累和完备的科研平台,成功设计、集成了大尺寸零微结构非铅(类)钙钛矿单晶高性能X射线成像器件。钙钛矿材料是近年发展最快也是最热门的半导体材料之一。与钙钛矿微晶薄膜相比,低缺陷态、高迁移率和更稳定的大尺寸钙钛矿单晶更适用于X射线等高能辐射探测。...

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