搜索结果: 31-45 共查到“知识要闻 半导体材料”相关记录228条 . 查询时间(3.326 秒)
近日，中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室在二维半导体WS2中研究了布里渊边界声学声子与暗激子之间量子干涉导致的法诺（Fano）共振行为（示意见图1a，b），并揭示了对称性在其中扮演的重要作用。2023年1月06日，相关研究成果以“少数层WS2中暗激子与边界声学声子的量子干涉”（Quantum interference between dark-excitons and zone-ed...
厦门大学材料学院张金宝教授课题组在有机半导体导电机制的研究中取得重要进展。团队围绕有机空穴传输材料效率低和稳定性差等问题开展了系列工作，改进了材料沉积成膜的方法，深入探索了薄膜结构影响器件稳定性的规律，进一步揭示了掺杂阴离子的工作机制。
中国科学院超导二极管效应研究获进展（图）
超导二极管 半导体材料
2022/11/8
作为现代电子工业的基石，半导体电子器件的基元是实现半导体二极管效应的P-N结。半导体P-N结的特性之一是单向导电性。在正向偏置时，P-N结处于导通状态，允许电流通过；在反向偏置时，P-N结处于截止状态，电流无法通过。半导体电子器件利用这样的特性实现逻辑运算。与半导体材料类似，具有宏观量子现象的超导体在量子电子学占有重要地位，如超导量子干涉仪等。那么，能否在超导电流中实现二极管效应？由于超导电流的零...
清华大学团队基于二维面内异质结首次同步实现热/电整流（图）
清华大学 二维面 内异质结 热/电整流
2023/2/28
芯片对于民用和国防多个领域至关重要，也是我国核心科技的“卡脖子”难题之一。根据摩尔定律，晶体管的沟道长度逐年缩短，与此同时半导体材料的厚度也会同比例微缩。但随着晶体管沟道尺寸的极限微缩，传统硅基晶体管的尺寸已达到物理极限，迫切需要寻找下一代新型半导体材料进一步提高芯片的集成度。单层过渡金属二硫化物（Transition Metal Dichalcogenides, TMDCs）面内异质结由于具有原...
CIE第12期电子信息云讲堂将于2022年9月22日（本周四）19:30开播。本期云讲堂邀请中国科学院半导体所赵德刚研究员，西安电子科技大学周弘教授，中国科学院半导体所梁锋博士，围绕“超宽禁带半导体材料与器件”展开分享。本次活动由中国电子学会学术交流中心、期刊发展中心等联合承办。
2022年8月28日，国家自然科学基金基础科学中心项目——“信息超材料”现场考察会在南京举行。经过基金委严格的评审程序，该项目顺利通过专家评审和现场考察。国家自然科学基金委员会（以下简称基金委）副主任陆建华院士、信息科学部主任郝跃院士、常务副主任刘克、副主任何杰等领导及专家组成员听取项目负责人汇报，并与项目组骨干成员、依托单位及合作单位管理部门人员进行分组访谈，同时对实验室进行了实地调研。东南大学...
中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室张俊研究员团队在半导体的激子-声子耦合的研究方面取得了一系列进展，相关工作分别以“锰掺杂氧化锌纳米线的多声子过程”（Multiphonon Process in Mn-Doped ZnO Nanowires），“卤化物双钙钛矿中自陷激子介导的高阶拉曼散射”（High-order Raman scattering mediated by self-tr...
2022年7月28日，成都三环研究院及通信和新材料研发智造项目启动仪式在成都市金牛区举行！四川省、成都市、金牛区等各级领导和相关负责同志，三环集团公司领导和相关负责同事出席项目开工仪式。
2022年7月8日，中科院合肥研究院固体物理研究所太阳电池团队的英文专著 DYE-SENSITIZED SOLAR CELLS （染料敏化太阳电池）正式出版，该书由德国德古意特出版社和中国科学出版社共同出版，面向全球发行。
清华大学团队阐释层状半导体芯片新材料的横向结电子器件应用（图）
层状半导体芯片 横向结电子器件 新材料
2022/7/15
先进芯片是当前信息社会和人工智能时代的最底层科技基石，掌握新一代芯片的材料、工艺、器件、设计、制造是相当长时间内科技战略创新的主战场之一。由于经典的几何微缩的摩尔定律在2003年90nm节点，和等效的摩尔定律在2020年7nm节点都相继失效，硅基晶体管的微缩速度大大降低，主要原因是晶体管在多个几何维度进入了亚10nm尺度，传统半导体材料的量子效应开始显现，继续微缩遇到了很大的材料、工艺、器件结构、...
8英寸碳化硅单晶研究获进展（图）
8英寸 碳化硅 单晶
2022/9/21
碳化硅（SiC）是一种宽带隙化合物半导体，具有高击穿场强（约为Si的10倍）、高饱和电子漂移速率（约为Si的2倍）、高热导率（Si的3倍、GaAs的10倍）等优异性能。相比同类硅基器件，SiC器件具有耐高温、耐高压、高频特性好、转化效率高、体积小和重量轻等优点，在电动汽车、轨道交通、高压输变电、光伏、5G通讯等领域具有应用潜力。高质量、低成本、大尺寸SiC单晶衬底是制备SiC器件的基础，掌握具有自...
近日，宜确半导体（苏州）有限公司与深港微电子学院签署合作协议，共同建立了“南科大深港微电子学院-宜确半导体联合实验室”。随着第三代半导体材料与器件的迅速发展，产业界已经掀起了应用研发热潮。宜确半导体（苏州）有限公司瞄准未来产业布局，携手深港微电子学院共同开展基于宽禁带材料的射频器件研发，以期突破现有技术瓶颈，开发出国际先进水平的射频前端通信芯片。深港微电子学院在这方面拥有长期的研究积累，联合实验室...
氮化物半导体材料是半导体照明、全彩显示、电力电子等器件的核心基础材料，在其已经实现大规模产业化应用的今天，氮化物材料生长界面研究仍具有重要的科学意义，日久弥新。近期，中国科学院半导体研究所照明研发中心与中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室、美国北卡大学、北京大学量子材料科学中心科研团队合作，在氮化物材料生长界面生长过程研究上取得新进展。为解决上述学术争议提供了直接证据，澄清了氮化物生长...
第三代半导体材料外延及光电子元器件和模块封装项目签约宝鸡凤翔
第三代半导体材料 光电子元器件 宝鸡凤翔
2022/10/25
2022年3月30日，陕西省宝鸡市凤翔高新技术产业开发区管理委员会与陕西昌瑞新电子科技有限公司举行第三代半导体材料外延及光电子元器件和模块封装项目签约仪式。
中山大学电子与信息工程学院（微电子学院）王钢教授团队项目入选中国科协2021年“科创中国”先导技术榜（图）
中山大学电子与信息工程学院（微电子学院） 王钢 中国科协 科创中国 先导技术榜 半导体薄膜材料
2022/5/30
为深入贯彻习近平总书记在两院院士大会、中国科协第十次全国代表大会上的重要讲话精神，推进“科创中国”试点城市（园区）政产学研金服用深度融合，完善国家创新体系，加快建设科技强国，实现高水平科技自立自强，中国科协组织开展2021“科创中国”榜单征集遴选工作。经过初评、终评，遴选结果于2022年2月8日公示。中山大学电子与信息工程学院王钢教授研发团队十多年自主研发的“大尺寸氧化镓单晶薄膜异质外延生长技术及...