搜索结果: 106-120 共查到“知识要闻 半导体技术”相关记录1092条 . 查询时间(3.293 秒)
南京大学电子学院在二维半导体的氧化动力学研究上取得进展（图）
二维半导体 氧化动力学 南京大学电子学院
2024/5/6
二维半导体在后硅电子学、扭角物理、能谷电子学等领域具有广阔的应用前景。然而，原子级厚度这一特征也使得二维半导体的环境稳定性普遍较低，人们对其氧化动力学仍缺乏精准的定量理解。主要的研究挑战在于：1）缺乏高效率的表征技术； 2）影响材料老化的参数较多，系统研究的工作量巨大。迄今，大多数研究依赖于微区表征技术，如拉曼光谱、原子力显微镜或透射电子显微镜，通常而言这些技术的检测空间有限、表征效率低下、或者难...
中国科学院上海微系统与信息技术研究所实现六方氮化硼纳米带的带隙调控（图）
六方氮化硼 纳米带 带隙调控
2023/7/14
六方氮化硼（hBN）是具有与石墨烯类似的六角网状晶格结构的宽禁带半导体，其大带隙和绝缘性质使其成为极佳的介质衬底材料，同时限制了其在电子学和光电子学器件中更广泛的应用。与hBN片层不同，hBN纳米带（BNNR）可以通过引入空间和静电势的约束表现出可变的带隙。计算预测，横向电场可以使BNNRs带隙变窄，甚至导致其出现绝缘体-金属转变。然而，如何通过实验在BNNR上引入较高的横向电场颇具挑战性。
宁波材料所在复杂机电系统的集成优化设计方法上取得进展（图）
机电系统 集成优化 动态模型
2023/7/13
相比序列式设计方法，集成优化设计方法可以加速复杂系统的迭代设计流程，获得更好的整体性能。将装备的机械、电气和控制参数集总到动态模型的反馈增益矩阵中，并运用最优控制理论进行设计，可以使产线在局部快速重构下保持最优性能。但受机械结构、驱动方案、控制器架构等因素影响，动态模型的反馈增益矩阵存在结构约束，无法运用黎卡提方程来求解，制约了最优控制理论在系统集成优化设计中的应用。
凭借轻巧、灵活和自发光等优点，有机发光二极管（OLED）被广泛认为是主流的第三代显示技术。而有机电致发光材料是OLED的关键组分之一。能够通过高能级通道迅速发生逆系统间跃迁（RISC）过程的“热激子”材料在OLED界备受关注。有研究显示，通过热激子路径可以获得理论上的100%内部量子效率（IQE）和低滚降速率。然而，红色热激子材料在聚集态和团簇态下仍不可避免地遭受聚集引起的淬灭（ACQ），导致相对...
后摩尔时代，依靠缩小尺寸提升器件集成度的硅基CMOS技术面临物理原理和工艺技术的挑战。具有高性能、低功耗和低成本优势的Chiplet技术成为延续摩尔定律的重要选择之一。该技术利用先进封装工艺，将多个异构芯片集成为特定功能的系统芯片，从而满足人工智能等领域的应用需求。然而，由于Chiplet异构集成密度大幅增加，热耗散问题对异构系统的可靠性造成挑战。如何针对Chiplet异构集成系统的复杂性，提出新...
中国电子科技集团公司43所三代半导体封装工艺实现航空航天领域国内首次应用
中国电科43所 半导体 封装工艺 航空航天
2023/11/12
近日，中国电科43所“活性金属钎焊（AMB）基板一体化封装”先进工艺实现了电路、布线、封装等多项技术升级，相关技术指标达到国际先进水平。该工艺应用于三代半导体领域，43所在此技术基础上进一步开发的多款AMB基板一体化封装产品，实现航空航天领域的国内首次应用。
中国科学院研究发展出单层二硫化钼低功耗柔性集成电路（图）
二硫化钼低 集成电路 二维半导体
2023/7/4
柔性电子是新兴技术，在信息、能源、生物医疗等领域具有广阔的应用前景。其中，柔性集成电路可用于便携式、可穿戴、可植入式的电子产品中，对器件的低功耗提出了极高的技术需求。相对于传统半导体材料，单层二硫化钼二维半导体具有原子级厚度、合适的带隙且兼具刚性（面内）和柔性（面外），是备受瞩目的柔性集成电路沟道材料。然而，推动二维半导体柔性集成电路走向实际应用并形成竞争力，降低器件功耗、同时保持器件性能是关键技...
柔性电子是新兴技术，在信息、能源、生物医疗等领域具有广阔的应用前景。其中，柔性集成电路可用于便携式、可穿戴、可植入式的电子产品中，对器件的低功耗提出了极高的技术需求。相对于传统半导体材料，单层二硫化钼二维半导体具有原子级厚度、合适的带隙且兼具刚性（面内）和柔性（面外），是备受瞩目的柔性集成电路沟道材料。然而，推动二维半导体柔性集成电路走向实际应用并形成竞争力，降低器件功耗、同时保持器件性能是关键技...
长飞光纤光缆股份有限公司拟投资60亿元建设第三代半导体功率器件生产项目
长飞光纤 第三代 半导体 功率器件
2023/11/12
2023年6月26日，长飞光纤光缆股份有限公司（以下简称“长飞光纤”）发布公告，其子公司安徽长飞先进半导体有限公司（以下简称“长飞先进半导体”）拟投资人民币60亿元建设第三代半导体功率器件生产项目。其中，长飞光纤拟出资人民币28,100.00万元。
中国科大在毫米波频率综合器芯片设计领域取得重要进展（图）
芯片设计 电子 集成电路
2024/6/16
2023年6月28日，中国科大微电子学院胡诣哲与林福江课题组设计的一款基于全新电荷舵采样（Charge-SteeringSampling, CSS）技术的极低抖动毫米波全数字锁相环（CSS-ADPLL）芯片入选2023 Symposium on VLSI Technology and Circuits（以下简称VLSI Symposium）。VLSI Symposium是超大规模集成电路芯片设计和...
中国科学院物理研究所单层二硫化钼低功耗柔性集成电路（图）
单层二硫化钼 集成电路 半导体材料
2023/6/28
柔性电子是一种新兴技术，在信息、能源、生物医疗等领域具有广阔的应用前景。其中，柔性集成电路可用于便携式、可穿戴、可植入式的电子产品中，对器件的低功耗提出了极高的技术需求。相对于传统半导体材料，单层二硫化钼二维半导体具有原子级厚度、合适的带隙且兼具刚性（面内）和柔性（面外），是一种备受瞩目的柔性集成电路沟道材料。然而，推动二维半导体柔性集成电路走向实际应用并形成竞争力，降低器件功耗、同时保持器件性能...
2023年“职教国培”示范项目集成电路类专业带头人培训班顺利开班（图）
职教国培 集成电路 培训班
2023/10/13
2023年6月20日，2023年“职教国培”示范项目集成电路类专业带头人培训班在浙江大学杭州国际科创中心（简称科创中心）开班。国家教育行政学院教师工作与研究部副主任赵玄，中国工程院院士、浙江大学微纳电子学院院长吴汉明，科创中心主任、浙江大学微纳电子学院常务副院长杨建义，浙江大学继续教育学院院长刘继荣、副院长姚青出席开班仪式，来自全国高职院校的50余位集成电路专业带头人参加培训。开班仪式由浙江大学集...
中国科学院半导体所在硅基外延量子点激光器研究方面取得重要进展（图）
量子点激光器 硅基光电子 集成芯片
2023/7/7
硅基光电子集成芯片以成熟稳定的CMOS工艺为基础，将传统光学系统所需的巨量功能器件高密度集成在同一芯片上，极大提升芯片的信息传输和处理能力，可广泛应用于超大数据中心、5G/6G、物联网、超级计算机、人工智能等新兴领域。由于硅（Si）材料发光效率低，因此将发光效率高的III-V族半导体材料如砷化镓（GaAs）外延在CMOS兼容Si基衬底上，并外延和制备激光器被公认为最优的片上光源方案。由于Si与Ga...
近日，苏州可川电子科技股份有限公司(简称可川电子)发布对外投资设立控股子公司的公告，公司为把握全球半导体行业光芯片、光模块产业发展机遇，公司计划与自然人吕志远签署《英特磊半导体技术(上海)股份有限公司之股东协议》(以下简称“《股东协议》”，共同发起设立英特磊，主要从事光通信模块及激光传感器等业务。
