搜索结果: 1-15 共查到“物理学 自旋量子”相关记录21条 . 查询时间(0.113 秒)
中国科学技术大学在单自旋量子体系中检验贾辛斯基等式(图)
单自旋 量子体系 贾辛斯基等式
2024/3/11
中国科大实现硅基量子计算自旋量子比特的超快调控(图)
硅基量子计算 半导体量子
2023/5/31
中国科学院院士、中国科学技术大学教授郭光灿团队等在硅基半导体量子计算研究中取得重要进展。该团队研究人员与南方科技大学、中国科学院物理研究所及本源量子计算有限公司研究人员合作,在硅基锗量子点中实现了自旋量子比特操控速率的电场调控,以及自旋翻转速率超过1.2 GHz的自旋量子比特超快操控,该速率是国际上半导体量子点体系中已报道的最高值。该工作对提升自旋量子比特的品质具有重要指导意义。相关研究成果以Ul...
“量子”学术沙龙第三期:杂化半导体中的自旋量子态调控(图)
量子 学术沙龙 杂化半导体 自旋量子态
2023/5/11
2023年1月19日,中科院合肥研究院固体所计算物理与量子材料研究部刘晓迪团队联合中国科学技术大学李传锋、许金时教授团队和四川大学王俊峰研究员,首次实现了高压环境下碳化硅双空位色心自旋量子态的相干调控和高压磁探测。相关结果发表在Nano Letters 上。
中国科学技术大学物理学院彭新华研究组实现新型自旋量子放大技术(图)
自旋量子 精密测量 量子放大
2022/7/6
中国科学技术大学物理学院彭新华研究组在自旋量子精密测量领域取得重要进展,首次提出和验证了Floquet自旋量子放大技术,该技术克服了以往只在单个频率处量子放大的局限性,实现了多频段极弱磁场信号的量子放大,灵敏度达到了飞特斯拉水平。相关研究成果于2022年6月9日以“Floquet Spin Amplification”为题在线发表于著名国际学术期刊《Physical Review Letters》...
宋友课题组在分子基电子自旋量子比特研究中取得进展(图)
分子基 电子自旋 量子比特 量子计算
2022/6/1
中国科大实现硅基半导体自旋量子比特的超快操控(图)
硅基半导体 自旋量子比特
2022/11/17
中国科学技术大学科研部郭光灿院士团队在硅基半导体自旋量子比特操控研究中取得重要进展。该团队郭国平教授、李海欧研究员与中科院物理所张建军研究员等人,和美国、澳大利亚的研究人员及本源量子计算公司合作,实现了硅基自旋量子比特的超快操控,其自旋翻转速率超过540MHz,是目前国际上已报道的最高值。研究成果以“Ultrafast coherent control of a hole spin qubit i...
第五届自旋量子态调控科技论坛成功举办(图)
第五届 自旋量子态调控 科技论坛
2023/2/23
中国科大实现新型的固态自旋量子相干操控(图)
固态自旋 量子相干操控
2022/11/20
中国科学技术大学科研部郭光灿院士团队在碳化硅色心自旋操控研究中取得重要进展。该团队李传锋、许金时、王俊峰等人与匈牙利魏格纳物理研究中心Adam Gali教授合作,在国际上首次实现了反斯托克斯激发的固态自旋体系的相干操控,该技术在量子信息处理及量子精密测量中具有重要用途。该成果2021年5月28日发表在国际知名期刊《自然·通讯》上。
中国科大发现硅基自旋量子比特操控优化的新方法(图)
硅基自旋 量子比特操控
2022/11/20
中国科学技术大学科研部郭光灿院士团队在硅基自旋量子比特操控研究中取得重要进展。该团队郭国平、李海欧研究组与合作者以及本源量子计算公司合作,对集成微磁体的硅基量子点进行研究,发现了自旋量子比特操控的各向异性:通过改变外加磁场与硅片晶向的相对方向,可以将自旋量子比特的操控速率、退相干速率和可寻址性进行同时优化。该研究成果发表在2021年4月27日出版的国际应用物理知名期刊《Physical Revie...
近期,中国科学院上海光学精密机械研究所强场激光物理国家重点实验室在超强激光与等离子体结构靶相互作用的研究中取得进展,首次提出等离子体中的粒子角动量振荡效应。这种效应将会在与振荡相关的物理过程(如THz和X光辐射、粒子加热等)中带来重要影响,为激光加速粒子提供了新的研究思路。相关研究成果发表在[New Journal of Physics 21, 043022 (2019)]上。
我校郭光灿院士团队在延长硅基自旋量子比特寿命(弛豫时间)研究中取得重要进展。该团队固态量子计算研究组郭国平教授、李海欧研究员等人与中科院微电子所集成电路先导工艺研发中心王桂磊副研究员、美国加州大学洛杉矶分校姜弘文教授和美国纽约州立大学布法罗分校胡学东教授,以及本源量子计算公司合作,在国际上首次发现了硅基自旋量子比特弛豫的强各向异性:通过改变外加磁场与硅片晶向的相对方向,可以将自旋量子比特寿命提高两...
北京大学量子材料中心杜瑞瑞教授课题组近期在自旋量子霍尔材料研究方面持续取得新成果。他们发现,在InAs/GaSb量子自旋霍尔绝缘体中存在能隙内的非常规磁阻振荡,并清楚地展示了这种振荡来自于绝缘的体态,让人们对量子振荡和费米面有了重新的认识。另一项工作实现了在InSb(111)衬底上外延生长高质量stanene,并首次制备输运器件观察到SdH振荡。
众所周知,金属的磁阻振荡来自于带电粒子在磁场下的...