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薄膜异质结光电功能材料的制备科学、功能机理和正电子过程研究。
中国科学院高能物理研究所专利： 正电子湮没多参数符合测量系统
中国科学院高能物理研究所 专利 正电子湮没 多参数 符合测量系统
2023/8/11
中国科学院高能物理研究所专利：正电子湮没多参数符合测量系统
中国科学院高能物理研究所专利：用于重建正电子发射计算机断层成像图像的方法
中国科学院高能物理研究所专利：获取正电子发射断层扫描系统响应模型与图像重建的方法
2023年4月23日上午，国家重点研发计划“基础科研条件与重大科学仪器设备研发” 重点专项 “正电子断层成像探测器”项目启动暨实施方案论证会在中国科学院高能物理研究所召开。会议由高能所科研计划处副处长杨春霞、联影医疗技术集团有限公司中央研究院副院长贺强主持，高能所党委书记魏龙、中国科学院前沿科学与教育局综合业务处主管赵楠分别致辞。
中国科学院高能物理研究所专利：用于乳腺癌诊断的俯卧式正电子发射照影设备
中国科学院高能物理研究所专利：用于正电子湮没寿命谱仪的探测器
中国科学院高能物理研究所专利：一种正电子断层扫描中符合系统及符合方法
中国科学院高能物理研究所专利：正电子湮没多参数符合测量系统
自旋极化的正电子在高能物理，材料物理和实验室天体物理等领域具有广泛的用途。目前，传统极化正电子源是基于Bethe-Heitler机制通过圆偏振伽马光或纵向极化电子轰击高Z固体靶实现的，但是单发的正电子产额只有飞库量级（10-15库仑），难以满足未来正负电子对撞机所需的纳库（10-9库仑）以及极化正负电子等离子体物理研究中的要求。如何获得大电量和高密度的极化正电子仍然是一个巨大的挑战。
近期，中国科学院上海光学精密机械研究所强场激光物理国家重点实验室在正电子加速方面取得进展，研究团队首次提出利用相干渡越辐射加速正电子，得到了准单能的高品质正电子源，相关成果发表于《通讯-物理学》(Communications Physics）。近期，中国科学院上海光学精密机械研究所强场激光物理国家重点实验室在正电子加速方面取得进展，研究团队首次提出利用相干渡越辐射加速正电子，得到了准单能的高品质正...