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窄禁带
”
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中国科学院大连化学物理研究所专利:一种提高
窄禁带
半导体光阳极光电催化放氧反应稳定性的方法
中国科学院大连化学物理研究所
专利
窄禁带
半导体
光阳极
光电催化
放氧反应
2023/11/14
本发明提供了一种提高
窄禁带
半导体光阳极光电催化放氧反应稳定性的方法。通过在
窄禁带
半导体光阳极表面修饰空穴储存层的方法,抑制在半导体光阳极表面发生的光致自氧化腐蚀反应引起的性能衰减,促使光阳极光电催化放氧反应的稳定进行。利用本发明提供的方法,能够使
窄禁带
半导体光阳极的活性工作寿命由数分钟提升至数小时以上,这为实现太阳能分解水制氢技术的工业应用提供了一条崭新的途径。
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窄禁带
半导体红外量子器件和物理
窄禁带
半导体
红外量子器件
2023/8/31
窄禁带
半导体红外量子器件和物理。
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窄禁带
半导体材料红外调制光谱研究
窄禁带
半导体材料
红外调制
光谱研究
2023/8/25
窄禁带
半导体材料红外调制光谱研究。
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