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本文设计并研制了一种多线阵半导体激光器的高亮度光纤耦合输出模块。激光器芯片采用了分子束外延(MBE)方法生长的宽波导、双量子阱结构AlGaAs/GaAs激光器外延材料,激光器模块采用6只准直的cm条线阵半导体激光器,器件腔长为1.2mm,单发光区宽度100 μm,发光周期500 ?m,单条器件包括19个发光单元,单条器件的连续输出功率为50W,每只单条器件的准直输出光束经过空间合束后再通过光束对称...