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高端芯片制造是我国科技高速发展的瓶颈,而材料外延生长是芯片制造的前端工艺和基础。分子束外延(MBE)凭借其对原子层沉积的精准控制,已成为芯片原子级制造的重要手段之一。然而,在半导体外延制造过程中,芯片材料的异质异构特性以及生长环境的波动使得缺陷难以避免,严重影响了芯片的性能和良率。
Ⅱ-Ⅵ族化合物原子层外延生长及短期超晶格量子阱的特性研究。

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