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搜索结果: 1-7 共查到物理学 损伤效应相关记录7条 . 查询时间(0.183 秒)
“质子位移损伤效应模拟试验装置(PREF)-60MeV质子加速器”是中国科学院投资建设的位移效应模拟试验专用质子加速器装置,由中国科学院新疆理化技术研究所承建,中国科学院近代物理研究所负责设计建造,于2023年8月建成出束。2023年9月12日开展了质子束流测试验收,专家组听取了项目组关于该加速器束流测试验收大纲报告,对测试方案与验收大纲进行了评审,同时进行了现场束流测试,专家组认为该加速器各项指...
2023年8月9日,中国科学院新疆理化技术研究所质子位移损伤模拟试验装置(PREF)出束调试成功,首次实现了质子储存、加速,慢引出到实验终端。该装置是目前国际上唯一一台可在10~60MeV范围连续精确提供宽注量率范围高品质单能质子束的装置,在累积辐射效应、质子单粒子效应评估以及质子能谱仪标定方面有较好应用前景。
2022年8月9日,我国自主研发的质子位移损伤效应模拟试验装置(PREF)—60MeV质子加速器建成出束,首次成功储存、加速、慢引出质子到实验终端。质子位移损伤效应模拟试验装置(PREF)由中国科学院新疆理化技术研究所负责,由近代物理研究所承担设计和建设任务,可提供10-60MeV能量段连续精确可调、高流强、高占空比、大扫描面积的高品质质子束流,是目前国内唯一的位移损伤效应模拟试验专用装置。
通过开展光敏晶体管的反应堆中子辐照实验,获得位移效应实验结果,并分析位移损伤机理。研究发现,在3×1011 ~5×1012cm-2中子注量范围内,光敏晶体管增益和光响应度的下降导致集电极输出电流下降。增益的倒数与注量的增加呈线性关系,注入电流越大,线性关系的斜率越小。理论分析表明,通过提高基区掺杂水平或减小基区宽度,可提高增益的抗辐射水平;不同反向偏置电压下的初级光电流辐照前基本相同,随着辐照注量...
利用激光扫描共聚焦显微技术和碱性单细胞凝胶电泳技术对经过离子注入后的黑松花粉粒内细胞核的直接损伤效应进行了观察鉴定。 研究结果表明, 离子注入后可以直接损伤细胞核结构, 导致细胞核裂解。 细胞核的损伤程度与注入离子的剂量密切相关, 即细胞核DNA分子的损伤程度随着注入离子剂量的增加而提高。
以传能线密度为30 keV/μm的12C6+离子束辐照人类肝L02细胞, 利用彗星电泳技术检测了以DNA链断裂为生物终点的DNA辐射损伤效应。 CASP软件分析彗星图像, 主要检测尾部DNA(TDNA%)、 彗星全长(CL)、 尾长(TL)、 尾矩(TM)和Olive尾矩(OTM)等指标, SPSS 11.5软件进行统计学分析, 绘制并拟合TM\|剂量曲线。 结果显示, 辐照以剂量依赖的方式引起L...
回顾了低能离子注入单晶Si经由核弹性碰撞引起的损伤特征及其常规的研究方法,介绍了快重离子辐照单晶Si经由电子能损引起的损伤特点及研究现状,并对该领域的研究作了展望.The radiation damage in silicon induced by low energy ion implantation was briefly reviewed together with a short intr...

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