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搜索结果: 1-15 共查到器件相关记录306条 . 查询时间(0.207 秒)
本发明涉及一种发光二极管与光电转换器件的耦合方法,其特征在于:所述发光二极管与光电转换器件之间通过两端均为磨锥球面的光纤进行耦合,即双头磨锥球面光纤耦合。本发明的耦合方式对含有发光二极管与光纤耦合的各种检测器、传感器和光学通信设备,尤其是荧光检测器和荧光传感器具有应用价值。该耦合方法简单、实用、方便、成本低廉。
本发明涉及一种用于光电成像器件光谱响应辐射损伤的测试方法,该方法涉及装置是由卤素灯光源室、单色仪、投射镜头、矩形分划板、反射镜、平行光管、成像物镜、三维样品调整台和待测光电成像器件制成,本发明利用单色仪输出均匀的单色光,并经过投射物镜将放置在平行光管焦面位置的矩形分划板照亮,再经过反射镜改变光路方向后射入到平行光管,平行光管输出的准直单色光通过成像物镜将矩形分划板成像到光电成像器件的光敏面上,根据...
本发明涉及一种提高器件抗电离辐射总剂量效应的方法,包括以下步骤:1)制作单层结构复合材料:2)制作多层结构复合材料:3)测量电子束在复合材料中的透射系数:4)采用蒙特卡洛粒子输运方法模拟计算材料的理论透射系数:5)修正电子透射系数;6)采用屏蔽效果最好的复合材料,在器件的相应芯片处进行二次封装。本发明在保证屏蔽效果最好的同时,使封装质量最小,可提高航天器器件抗电离辐射总剂量效应。
本发明涉及用于晶片级器件辐射效应试验的X射线辐照测试设备,该设备是由X射线辐照装置、显微成像装置、探针台、冷却与空气循环装置、辐射测量装置、控制与测试分系统、框架、水平导轨、高压程控电源、X射线控制器、UNIDOS剂量仪、控制计算机、半导体参数测试仪、示波器和矩阵开关组成,该设备实现晶片级器件的辐照与在线辐射效应参数提取及实时监测;并实现辐照测试的一体化、操作的自动化,可显著提高辐照与测试的稳定性...
本发明涉及一种用于焦平面成像器件绝对光谱响应的通用快速测量方法,该方法通过整幅图像输出来计算相对光谱响应,结合校准过的参考探测器,实现焦平面成像器件绝对光谱响应的测量;并以光阑对照射到参考探测器及焦平面成像器件上的光斑进行约束,使测量结果不受光斑形状、对称性、均匀性的影响。该方法相比于现有测量方法,解决了单色光均匀化后光强小、测量适用性差等问题,避免了焦平面局部缺陷对测量结果的影响,并且对测量设备...
本发明涉及一种基于光斑的电荷耦合器件电荷转移效率通用测试方法,该方法涉及装置是由静电试验平台、积分球光源、卤钨灯光源、会聚球面镜、样品测试板、电荷耦合器件样品、导轨、三维样品调整台、暗箱、光学准直套筒和计算机组成,将电荷耦合器件样品正对积分球光源出光口,首先进行暗场测试,计算出A、B、C三个通道暗场所有像素位置的灰度值的平均值;再进行亮场测试,计算出三个通道亮场所有像素位置的灰度值的平均值;通过计...
本发明涉及用于元器件电离辐照的X射线辐照方法,该方法涉及辐照装置是由X光管、准直器、限束板、低能散射滤片、电动三维平台、辐照平台、激光指示器、水循环进出口组成,该方法实现了X射线能量、剂量率连续可调、辐照束斑连续可调,且可以去除低能散射对辐照结果的影响,为元器件电离辐照提供较理想的条件。该方法将为元器件电离总剂量辐射效应研究及试验评估提供方便快捷、低成本的电离辐照条件,对提升电子元器件抗辐射加固的...
本发明涉及一种基于宇宙射线的电荷耦合器件电荷转移效率在轨测试方法,该方法通过对同一天在轨暗场测试采集到的十幅图进行统计,得到十幅图中宇宙射线轨迹总数,然后统计每条宇宙射线轨迹在图像上经过的列数,找出每条宇宙射线轨迹中灰度值最大的像素,以该像素为中心像素,其上下左右各个方向上的像素灰度值逐渐降低,寻找各方向上像素的灰度值介于图像背景灰度值的1.5倍和中心像素灰度值之间的所有像素即为宇宙射线信号源覆盖...
本发明涉及一种基于热像素的电荷耦合器件电荷转移效率在轨测试方法,该方法通过对在轨暗场测试采集到的其中任一幅图进行计算,得到该幅图的背景信号SBG和图像饱和信号Smax,然后统计该幅图中信号灰度值介于2SBG和Smax之间的热像素信号个数,对于单个热像素信号计算其最亮像素的灰度值,统计单个热像素的拖尾信号所占的像素个数,并计算单个热像素所占拖尾像素的灰度值之和,再计算单个热像素信号转移到输出端的转移...
本发明公开了一种基于三维叠层封装SRAM器件的在轨单粒子翻转甄别系统,该系统由三维叠层封装SRAM器件,电源模块,单粒子翻转数据分析模块组成,三维叠层封装SRAM器件与单粒子翻转数据分析模块连接,电源模块与三维叠层封装SRAM器件连接,所述三维叠层封装SRAM器件为3层‑10层,三维封装SRAM器件中各层之间需对齐,电源模块对三维叠层封装SRAM器件的各层分别供电,单粒子翻转数据分析模...
本发明公开了一种全无机柔性热敏器件及其制备方法,该器件由柔性衬底,沉积于衬底上的缓冲层,沉积于缓冲层上的热敏薄膜,沉积于薄膜上的分形电极及沉积于电极上的绝缘层组成,采用的溅射方法为直流溅射或射频溅射制成,该器件结构简单,质量轻薄,同时薄膜结晶度较好,粗糙度较小,对温度的灵敏度较好,重复性好,操作简单,实现薄膜的较大面积生长,且生长的薄膜均匀性较好。为柔性热敏器件的研究和开发奠定了基础。通过镀膜工艺...
本发明提供了一种用于电离总剂量辐照后光电成像器件随机电报信号的测试方法。该方法涉及装置是由暗室和样品测试板两部分组成。将样品测试板置于暗室内,将辐照后的CMOS图像传感器固定在样品锁紧座上,盖上遮光盖,接通电源,给样品测试板供电,通过计算机软件找到工作温度、像素电压、积分时间、采图频率、采图时长、窗口大小等条件与测试结果和试验数据量之间的关系,依据计算结果确定试验条件,完成随机电报信号的测试。本发...
本发明提供了一种用于辐照后光电成像器件暗电流激活能测试方法。该方法涉及装置是由高低温箱和样品测试板两部分组成。将置于高低温箱中的样品测试板接通电源,然后调节高低温箱内的温度调节模块,达到目标温度后,保证测试样品与高低温箱环境温度一致,通过计算机中的采图软件,找出热像素灰度值达到饱和时对应的积分时间,确定为最大积分时间,等间隔选择10个小于最大值的积分时间,每个积分时间下采集10帧图像,完成不同温度...
本发明涉及一种实现半导体器件1/f噪声变温测试的方法及装置,该方法首先构建半导体器件1/f噪声测试中待测样品的变温环境,将1/f噪声测试系统的室温测试盒扩展至变温室,变温室利用稳态气泡原理控温构建了81K‑500K连续可调的变温环境;其次,设计变温室中的样品架及样品夹具板,实现多种封装的半导体器件在变温环境中的安装及封装半导体器件中的温度快速传递,设计待测样品的偏置及测试数据传递通路,...
中国科学院深圳先进技术研究院专利:一种SON型金属氧化物半导体场效应管器件的制备方法

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