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搜索结果: 1-15 共查到器件研发相关记录15条 . 查询时间(0.32 秒)
生物物理所脑成像团队面向脑磁图等生物磁探测需求,完成了新型脑磁图工程化和产业转化的关键部件--国产化零场原子磁力计的研制。经第三方检测,灵敏度、带宽等主要性能指标达到国际先进水平,对脑磁图成像特别重要的磁敏感轴正交性,信号稳定性等指标达到国际领先水平。并通过生物物理所转化企业实现标准化批量生产。
2022年8月8日,江苏浩都频率科技有限公司(以下简称“浩都电子”)元器件研发生产项目签约仪式在南京浦口经济开发区举行。本次签约的浩都电子元器件研发生产项目总投资5亿元,专注于晶体谐振器、晶体振荡器、压控振荡器等产品的研发和生产。
2022年6月5日,在沈阳仪表科学院有限公司(简称“沈阳仪表院”)光学薄膜芯片生产线上,一片繁忙景象。超净车间里,伴随着工作人员紧张有序的工作,一箱箱荧光滤光芯片组件源源不断地镀膜、检测、封装、打包、装箱,随即发送全国各地。
随着半导体发光器件从照明向高附加值显示领域拓展,并逐渐向光通信领域渗透,新兴领域对器件的发光效能、光色品质及微型化提出更加苛刻的要求。为了突破半导体显示与光通信器件技术瓶颈,2018年1月经国家发展和改革委员会获批建设,半导体显示与光通信器件研发国家地方联合工程研究中心正式成立,成为学校获批的第3个国家地方联合工程研究中心。工程研究中心围绕半导体发光高附加值显示与光通信等领域,开展核心半导体显示与...
2021年9月27日,中国科学院上海硅酸盐研究所组织召开上海人工晶体研发与转化功能型平台培育项目“极端尺寸高性能人工晶体及元器件研发与转化应用”中期进展评审会。专家组中国科学院原副院长、上海张江综合性国家科学中心办公室常务副主任施尔畏研究员,同济大学徐军教授,上海应用技术大学徐家跃教授,上海联影医疗科技有限公司研发总监安少辉,上海材料研究所所长助理王滨研究员,中国科学院上海光学精密机械研究所杭寅研...
中国科学院宁波材料技术与工程研究所非金属催化、纳米生物材料和柔性光电材料等三个团队与中科院上海巴斯德研究所合作,共同研发了兼具消毒、杀菌和除醛的多功能空气净化器件。在玻纤布上原位合成的Ag-Co3O4催化剂涂层,涂层含纳米Ag颗粒,以连续均一的方式附着在玻璃纤维表面,具备导电性、柔性和透气性。
近日,西安光机所瞬态光学与光子技术国家重点实验室汤洁研究员课题组在低温等离子体器件研发方面取得突破性研究进展,该研究成果以“A highly cost-efficient large-scale uniform laminar plasma jet array enhanced by V–I characteristic modulation in a non-self-sustained atm...
在国家重大科学研究计划的支持下,由中科院半导体所、同济大学、北京科技大学、山东大学等单位的科学家组成的团队,围绕着基于高品质垂直磁各向异性铁磁/半导体异质结构的固态量子器件研发中的重大科学问题,瞄准新型半导体自旋电子器件研制,以实现高密度集成、高性能、超高速、低功耗、抗电磁干扰、高热稳定性,并且易于与成熟的半导体工艺相兼容为出发点,通过理论和实验研究相结合,在垂直磁各向异性薄膜结构及性能研究、自旋...
2015年5月29日,由中国电机工程学会直流输电与电力电子专业委员会主办,中国南车株洲电力机车研究所、株洲变流技术国家工程研究中心有限公司承办的“电力电子器件研发与应用”技术研讨会在株洲召开。中国工程院院士、直流输电与电力电子专业委员会主任委员李立浧,中国工程院院士、南车株洲电力机车研究所有限公司总经理丁荣军,中国电机工程学会高级顾问陈峰,调研员李若梅等领导出席会议。
2015年5月8日,由兰州大学和台湾崑山科技大学合作建立的“两岸光电材料及器件研发与技术转移中心”(以下简称研发中心)揭牌仪式在兰州大学科学馆201隆重举行。王乘在致辞中表示,兰州大学和崑山科技大学交流合作广泛,建立了深厚的友谊。在能源短缺和环境污染的严峻形势下,推进节能减排,发展低碳经济,创新能源技术,是经济发展的必然选择。希望“两岸光电材料及器件研发与技术转移中心”充分发挥兰州大学在光电功能材...
2012年11月16日,福建省科技厅组织专家组对中国科学院福建物质结构研究所承担的福建省科技重大专项专题“新颖光电纳米材料及其原型器件研发”(项目编号:2009HZ0006-1)进行验收。专家组听取了专题项目组的工作汇报,审阅了相关材料,经认真质询和讨论,验收专家组认为,该专题已按研究计划完成各项研发任务,达到项目任务书规定的技术指标,同意通过项目验收。
作为第三代宽禁带半导体,ZnO是制作短波长发光管和光电探测器的重要候选材料。通过元素掺杂ZnO的禁带宽度可在很宽波段范围内进行调控,例如通过调整MgxZn1-xO中的Mg组分,其带隙可在3.37~7.8eV(380~160nm)范围内调控,从而可覆盖280~220nm的日盲波段,成为继AlGaN后的又一重要日盲紫外探测材料。作为核心元器件的日盲紫外探测器在多个领域具有重要应用价值,是目前光电子高技...
中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家实验室杜小龙研究组经过五年多的持续攻关研究,发展了一种低温界面工程技术,并进一步设计和构筑了具有锐利界面的新型n-ZnO/i-MgO/p-Si双异质结p-i-n紫外探测器结构,研制成功Si基ZnO可见盲紫外探测器原理型器件。其独创的硅基氧化锌单晶材料生长工艺以及新型器件结构设计与制备技术为我国在光电子技术领域的自主创新研究开辟了一条新路。
该项目组开展了全固态绿光激光系统及模块化晶体器件各个主要技术环节的多学科综合研究,同时该专题也部署了10项相关领域的探索性研究。其中包括尺寸优质晶体生长技术:LBO晶体、BIBO晶体、KTP晶体、Nd:YVO4晶体;高指标晶体器件加工:高精度表面精抛、高指标晶体镀膜;蓝光、绿光晶体器件组合模块:绿光模块、蓝光模块;大功率绿光激光器:大功率绿激光器、抗振动抗温变半导体泵浦高重频单横单纵全固态激光...
该课题发明了一种厚度为1纳米的特殊过渡层和一种特定的硅表面加工技术,克服了外延材料和衬底之间巨大的晶格失配和热失配,在第一代半导体硅材料上,制备出高质量的第三代半导体GaN材料,成功地解决了硅衬底上制备的GaN单晶膜材料龟裂这一世界难题。课题组发明了一种高可靠性LED外延材料结构,通过优化生长技术,制备了高质量的具有纳米量子阱结构的第三代半导体GaN基LED材料,攻克了硅衬底上GaN基LED可靠性...

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