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搜索结果: 1-3 共查到“物理学纳米管阵列”相关记录3条 . 查询时间(0.141 秒)

中国科学院国家纳米科学中心专利：一种内径可控的多孔单晶氮化镓微/纳米管阵列及其制备方法中国科学院国家纳米科学中心专利内径可控多孔单晶氮化镓纳米管阵列 2023/6/14

中国科学院国家纳米科学中心专利：一种内径可控的多孔单晶氮化镓微/纳米管阵列及其制备方法

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中国科学院理化技术研究所专利：一维ZnO/ZnS核壳结构纳米阵列以及单晶ZnS纳米管阵列的制备方法中国科学院理化技术研究所专利一维 ZnO/ZnS 核壳结构纳米阵列单晶 ZnS纳米管阵列 2023/4/24

中国科学院理化技术研究所专利：一维ZnO/ZnS核壳结构纳米阵列以及单晶ZnS纳米管阵列的制备方法

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一种平行背栅极碳纳米管阵列的场增强因子计算平行背栅极碳纳米管阵列场增强因子悬浮球 2014/3/16

建立一种平行背栅极碳纳米管阵列阴极，基于电场叠加原理，利用镜像电荷法对其进行计算，给出碳纳米管顶端表面电场增强因子。在此基础上，进一步分析器件各类参数对电场增强因子的影响。分析表明，碳纳米管阵列阴极具有最佳阵列密度，其对应碳纳米管间距大约为碳纳米管高度的两倍，靠阴极阵列边缘部位的碳纳米管发射电子能力比其中心部位的大。除了碳纳米管的长径比之外，栅极宽度、栅极厚度和栅极间距等也对电场增强因子有一定的影...

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