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结构可更换构件通过可更换连接与主体结构相连，共同工作并集中塑性损伤，震后更换损伤构件即可恢复结构功能。为了研究一种连梁可更换构件及连接的性能，对可更换构件及连接试件进行反复加载试验，并对低屈服点耗能钢材进行单向拉伸试验。采用ABAQUS软件对该可更换构件及连接进行有限元模拟分析，比较了壳单元和实体单元模拟的计算效率和精度，并提出合理可行的材料参数取值方法，采用非线性接触对模拟可更换螺栓端板连接，模...
大型航天器再入陨落时太阳翼气动力/热模拟分析
稀薄流域 气动热力学 直接模拟蒙特卡洛方法
2016/1/4
采用直接模拟蒙特卡洛（DSMC）方法对大型航天器离轨再入陨落过程中，其太阳翼帆板在稀薄过渡流域的气动力、气动热特性进行数值模拟，计算中采用流场直角与表面三角形非结构混合网格以及网格自适应技术处理这类复杂外形的流动模拟，考虑内能激发和化学反应来准确模拟气动加热，并基于MPI环境的并行算法解决计算量庞大的难题。通过计算分析太阳翼水平和垂直放置时在不同高度、不同攻角下的复杂流动特征，表明在90km以上高...
绝缘层上应变SiGe沟道p-MOSFET电学特性模拟分析
SGOI p-MOSFET Ge合金组分
2013/9/23
利用数值模拟软件ISE TCAD对绝缘层上应变SiGe(SGOI)和Si(SOI)p-MOSFET的电学特性进行了二维数值模拟.计算结果表明，与传统的SOI p-MOSFET相比，SGOI p-MOSFET的漏源饱和电流几乎要高出两倍; 其亚阈值电流要高出1～3个数量级.Ge合金组分作为应变SiGe沟道MOSFET的重要参数，就不同Ge合金组分对SGOI p-MOSFET的电学特性的影响也进行了较...
14 MeV中子在贫化铀球中造钚率的实验数据模拟分析
造钚率 贫化铀球 模拟分析
2011/8/24
根据已开展的14 MeV中子在 600 mm贫化铀球中的造钚率实验，使用MCNP5程序对实验结果及其影响因素进行数值模拟分析。结果表明：B-Ⅵ版的uresa库和endf66c库对造钚率的模拟结果与实验结果相符；管道的空腔效应、靶室结构材料和水层的屏蔽散射效应及大厅本底中子等因素对造钚率影响较小。
Z箍缩内爆的MARED程序1维模拟分析
Z箍缩 内爆等离子体 丝阵负载
2009/8/24
研制可靠的数值模拟工具对Z箍缩内爆产生X光辐射过程进行理论研究、实验分析以及负载设计至关重要。介绍了2维三温辐射磁流体力学程序（MARED）的物理方案，给出了MARED程序的1维检验结果，验证表明MARED程序适用不同装置条件、不同负载参数。结合丝阵Z箍缩实验的数值模拟和分析表明：相同负载质量条件下，钨丝阵内爆产生的X光辐射功率远大于铝丝阵产生的X光功率；相同负载电流条件下，负载质量越大，计算得到...
扩展互作用谐振腔的模拟分析
扩展互作用谐振腔 THz波段 同步
2009/2/16
分析了扩展互作用谐振腔的工作原理、特点以及工作过程，并利用PIC粒子模拟程序对其进行了数值模拟，分析了阴极电压、电子注半径、谐振腔个数以及谐振腔周期长度对输出功率、频率及转换效率的影响。结果表明：当阴极电压为28.5~30.0 kV时，谐振腔能正常工作；当电子注半径为1.4 mm，谐振腔个数为4，阴极电压为29 kV时输出功率和转换效率最大，输出功率为128 kW，频率12.9 GHz，转换效率达...
速调管离子噪声特性的模拟分析
离子噪声 速调管 电子束
2009/2/10
离子噪声已成为影响现代微波管性能的一个重要因素，采用一维混合模型研究了速调管的离子噪声，用自编的1维粒子模拟程序对速调管的离子噪声特性进行了分析。采用小信号近似，从理论上推导出了速调管离子噪声与相位畸变关系的表达式，表明微波管相位噪声直接来源于管内离子量的变化。模拟了有离子噪声时速调管的相位特性，对模拟过程做了离子诊断并与实验结果进行比较，证明了模拟过程的正确性。探讨了电子束电流、电压以及聚焦磁场...
德鲁德分布非均匀膜的光学特性模拟分析
2007/8/20
从德鲁德理论出发，对多元共蒸法镀制的非均匀膜的折射率分布与沉积速率的关系进行了探讨;然后利用计算机辅助模拟，对德鲁德分布非均匀光学薄膜，从单周期和多周期、正变和负变、完整周期和存在半周期几个方面对其光学特性进行了系统分析.研究发现：其透射率的极小值和周期数的关系遵从周期数的三次多项式衰减规律，不同规律的德鲁德分布非均匀膜可用来设计不同功能的滤光片.