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锰钴镍基
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中国科学院新疆理化技术研究所专利:
锰钴镍基
负温度系数热敏电阻材料的均匀共沉淀制备方法
中国科学院新疆理化技术研究所
专利
锰钴镍基
负温度系数
热敏电阻材料
均匀共沉淀
2024/1/8
本发明涉及
锰钴镍基
负温度系数热敏电阻材料的均匀共沉淀制备方法。该方法首先以硫酸锰、硫酸镍、硫酸钴的两种或三种作为金属离子源,草酸二乙脂作为反应沉淀剂,氨水或氢氧化钠作为配位剂,进行化学沉淀反应,然后将沉淀产物经抽滤洗涤、干燥研磨、煅烧研磨后得到锰、镍、
钴基
二元或三元热敏电阻粉体材料。该方法具有操作简便、成本低、周期短、产率高的特点,所得热敏电阻粉体为尖晶石结构,粒径小、形状好、分散性好、品质好。
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